IRG4PF50WPBF

IRG4PF50WPBF屬性

---

IRG4PF50WPBF描述

產品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Infineon
產品種類: IGBT 晶體管
RoHS: 詳細信息
技術: Si
封裝 / 箱體: TO-247-3
安裝風格: Through Hole
配置: Single
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 900 V
集電極—射極飽和電壓: 2.25 V
柵極/發射極最大電壓: 20 V
在25 C的連續集電極電流: 51 A
Pd-功率耗散: 200 W
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
封裝: Tube
商標: Infineon / IR
集電極最大連續電流 Ic: 51 A
柵極—射極漏泄電流: 100 nA
高度: 20.7 mm
長度: 15.87 mm
產品類型: IGBT Transistors
400
子類別: IGBTs
寬度: 5.31 mm
單位重量: 38 g

---

IRG4PF50WPBF相關產品