IKW08T120
IKW08T120屬性
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- INFINEON
IKW08T120描述
封裝 / 箱體: TO-247-3
安裝風格: Through Hole
配置: Single
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極—射極飽和電壓: 1.7 V
柵極/發射極最大電壓: 20 V
在25 C的連續集電極電流: 16 A
Pd-功率耗散: 70 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
系列: Trenchstop IGBT3
封裝: Tube
商標: Infineon Technologies
集電極連續電流: 16 A
柵極—射極漏泄電流: 100 nA
高度: 21.1 mm
長度: 16.03 mm
產品類型: IGBT Transistors
子類別: IGBTs
商標名: TRENCHSTOP
寬度: 5.16 mm
零件號別名: IKW8T12XK SP000013885 IKW08T120FKSA1
單位重量: 38 g