MMBTA56LT1G
MMBTA56LT1G屬性
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MMBTA56LT1G描述
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-23-3
晶體管極性: PNP
配置: Single
集電極—發射極最大電壓 VCEO: - 80 V
集電極—基極電壓 VCBO: - 80 V
發射極 - 基極電壓 VEBO: 4 V
集電極—射極飽和電壓: - 0.25 V
最大直流電集電極電流: 0.5 A
Pd-功率耗散: 225 mW
增益帶寬產品fT: 50 MHz
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
系列: MMBTA56L
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: onsemi
集電極連續電流: - 0.5 A
高度: 0.94 mm
長度: 2.9 mm
產品類型: BJTs - Bipolar Transistors
子類別: Transistors
技術: Si
寬度: 1.3 mm
單位重量: 1.400 g