STP22NM60N

STP22NM60N屬性

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STP22NM60N描述

產品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: STMicroelectronics
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續漏極電流: 16 A
Rds On-漏源導通電阻: 200 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V
Qg-柵極電荷: 44 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 125 W
通道模式: Enhancement
商標名: MDmesh
封裝: Tube
商標: STMicroelectronics
配置: Single
產品類型: MOSFET
系列: STP22NM60N
1000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
單位重量: 2 g

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