IRLB3813PBF

IRLB3813PBF屬性

---

IRLB3813PBF描述

產品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續漏極電流: 260 A
Rds On-漏源導通電阻: 1.95 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.9 V
Qg-柵極電荷: 86 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 230 W
通道模式: Enhancement
商標名: HEXFET
封裝: Tube
商標: Infineon / IR
配置: Single
下降時間: 60 ns
正向跨導 - 最小值: 140 S
高度: 15.65 mm
長度: 10 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 170 ns
系列: N-Channel
50
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 33 ns
典型接通延遲時間: 36 ns
寬度: 4.4 mm
零件號別名: IRLB3813PBF SP001558110
單位重量: 2 g

---

IRLB3813PBF相關產品