STW48NM60N
- 發布時間：2022/3/7 10:51:54
- 所屬類別：集成電路 » 集成電路
- 公 司：深圳市騰樁電子有限公司
STW48NM60N屬性
- STW48NM60N
- ST
STW48NM60N描述
產品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: STMicroelectronics
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續漏極電流: 39 A
Rds On-漏源導通電阻: 70 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 25 V, + 25 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 124 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 255 W
通道模式: Enhancement
商標名: MDmesh
封裝: Tube
商標: STMicroelectronics
配置: Single
產品類型: MOSFET
系列: STW48NM60N
600
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
單位重量: 6 g
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公網安備44030402000607
