BFG520/X T/R

BFG520/X T/R屬性

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BFG520/X T/R描述

產品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: NXP
產品種類: 射頻(RF)雙極晶體管
晶體管類型: Bipolar
技術: Si
晶體管極性: NPN
工作頻率: 9000 MHz
直流集電極/Base Gain hfe Min: 60
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 15 V
發射極 - 基極電壓 VEBO: 2.5 V
集電極連續電流: 0.07 A
最大工作溫度: + 150 C
配置: Single
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-143
封裝: Reel
商標: NXP Semiconductors
集電極—基極電壓 VCBO: 20 V
直流電流增益 hFE 最大值: 60
高度: 1 mm
長度: 3 mm
Pd-功率耗散: 300 mW
產品類型: RF Bipolar Transistors
3000
子類別: Transistors
類型: RF Bipolar Small Signal
寬度: 1.4 mm
零件號別名: BFG520/X,215

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