BF909 T/R

BF909 T/R屬性

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BF909 T/R描述

產品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: NXP
產品種類: 射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管
RoHS: 詳細信息
晶體管極性: Dual N-Channel
技術: Si
Id-連續漏極電流: 40 mA
Vds-漏源極擊穿電壓: 7 V
最小工作溫度: - 65 C
最大工作溫度: + 150 C
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-143
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
商標: NXP Semiconductors
通道模式: Enhancement
配置: Dual
高度: 1.1 mm
長度: 3 mm
Pd-功率耗散: 200 mW
產品類型: RF MOSFET Transistors
3000
子類別: MOSFETs
類型: RF Small Signal MOSFET
Vgs - 柵極-源極電壓: 6 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V, 1.2 V
寬度: 1.4 mm
零件號別名: BF909,215

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