FDMS86101

FDMS86101屬性

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FDMS86101描述

參數名稱 參數值
Source Content uid FDMS86101
Brand Name ON Semiconductor
是否無鉛 不含鉛 不含鉛
生命周期 Active
Objectid 4001117173
包裝說明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-N5
制造商包裝代碼 483AE
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代碼 EAR99
Factory Lead Time 23 weeks 4 days
風險等級 1.63
雪崩能效等級（Eas） 135 mJ
外殼連接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 100 V
最大漏極電流 (Abs) (ID) 80 A
最大漏極電流 (ID) 12.4 A
最大漏源導通電阻 0.008 Ω
FET 技術 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼 MO-240AA
JESD-30 代碼 R-PDSO-N5
JESD-609代碼 e3
濕度敏感等級 1
元件數量 1
端子數量 5
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 150 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度） NOT SPECIFIED
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 104 W
最大脈沖漏極電流 (IDM) 200 A
認證狀態 Not Qualified
子類別 FET General Purpose Power
表面貼裝 YES
端子面層 Tin (Sn)
端子形式 NO LEAD
端子位置 DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間 NOT SPECIFIED
晶體管應用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON

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