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LM258DR2G

LM258DR2G產品圖片
  • 發布時間:2022/4/25 14:49:28
  • 所屬類別:集成電路 » 集成電路
  • 公    司:深圳市騰浩偉業電子有限公司

LM258DR2G屬性

  • 0
  • SOP-8
  • 0
  • ON

LM258DR2G描述

參數名稱 參數值
Source Content uid LM258DR2G
Brand Name ON Semiconductor
是否無鉛 不含鉛 不含鉛
生命周期 Active
Objectid 2011782834
零件包裝代碼 SOIC
包裝說明 SOP, SOP8,.25
針數 8
制造商包裝代碼 751-07
Reach Compliance Code compliant
ECCN代碼 EAR99
HTS代碼 8542.33.00.01
Factory Lead Time 52 weeks
風險等級 1.36
Samacsys Description Operational Amplifier, Single Supply, Dual
Samacsys Manufacturer onsemi
放大器類型 OPERATIONAL AMPLIFIER
架構 VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置電流 (IIB) 0.3 μA
25C 時的最大偏置電流 (IIB) 0.15 μA
最小共模抑制比 70 dB
標稱共模抑制比 85 dB
頻率補償 NO
最大輸入失調電流 (IIO) 0.03 μA
最大輸入失調電壓 5000 μV
JESD-30 代碼 R-PDSO-G8
JESD-609代碼 e3
長度 4.9 mm
低-偏置 NO
低-失調 NO
微功率 NO
濕度敏感等級 1
功能數量 2
端子數量 8
最高工作溫度 85 °C
最低工作溫度 -25 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝代碼 SOP
封裝等效代碼 SOP8,.25
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
包裝方法 TR
峰值回流溫度(攝氏度) 260
功率 NO
電源 +-1.5/+-15/3/30 V
可編程功率 NO
認證狀態 Not Qualified
座面最大高度 1.75 mm
子類別 Operational Amplifier
最大壓擺率 3 mA
供電電壓上限 32 V
標稱供電電壓 (Vsup) 5 V
表面貼裝 YES
技術 BIPOLAR
溫度等級 OTHER
端子面層 Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式 GULL WING
端子節距 1.27 mm
端子位置 DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間 40
最小電壓增益 25000
寬帶 NO
寬度 3.9 mm


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