IRF540NSTRLPBF

IRF540NSTRLPBF屬性

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IRF540NSTRLPBF描述

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詳細參數
參數名稱 參數值
Source Content uid IRF540NSTRLPBF
是否Rohs認證 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 8006006795
包裝說明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代碼 EAR99
Factory Lead Time 65 weeks
風險等級 0.82
Samacsys Description Infineon IRF540NSTRLPBF N-channel MOSFET, 33 A, 100 V HEXFET, 3-Pin D2PAK
Samacsys Manufacturer Infineon
Samacsys Modified On 2021-07-23 19:35:33
其他特性 AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等級（Eas） 185 mJ
外殼連接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 100 V
最大漏極電流 (Abs) (ID) 33 A
最大漏極電流 (ID) 33 A
最大漏源導通電阻 0.044 Ω
FET 技術 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼 TO-263
JESD-30 代碼 R-PSSO-G2
JESD-609代碼 e3
濕度敏感等級 1
元件數量 1
端子數量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 175 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度） 260
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 130 W
最大脈沖漏極電流 (IDM) 110 A
認證狀態 Not Qualified
子類別 FET General Purpose Power
表面貼裝 YES
端子面層 Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長時間 30
晶體管應用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON

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