SQM40031EL_GE3
SQM40031EL_GE3屬性
- LQFP64
- ADI/亞德諾
SQM40031EL_GE3描述
參數名稱 參數值
是否Rohs認證 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 8301866051
包裝說明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code unknown
ECCN代碼 EAR99
風險等級 1.83
Samacsys Description MOSFET P Ch -40V Vds AEC-Q101 Qualified
Samacsys Manufacturer Vishay
Samacsys Modified On 2021-09-28 14:53:39
YTEOL 5.62
雪崩能效等級(Eas) 180 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 40 V
最大漏極電流 (ID) 120 A
最大漏源導通電阻 0.003 Ω
FET 技術 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼 TO-263AB
JESD-30 代碼 R-PSSO-G2
元件數量 1
端子數量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最低工作溫度 -55 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度(攝氏度) NOT SPECIFIED
極性/信道類型 P-CHANNEL
最大脈沖漏極電流 (IDM) 300 A
參考標準 AEC-Q101
表面貼裝 YES
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長時間 NOT SPECIFIED
晶體管元件材料 SILICON