2SK3635-Z-E1-AZ

2SK3635-Z-E1-AZ屬性

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2SK3635-Z-E1-AZ描述

參數名稱 參數值
Source Content uid 2SK3635-Z-E1-AZ
Brand Name Renesas
是否無鉛 不含鉛 不含鉛
是否Rohs認證 符合 符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1832748436
零件包裝代碼 MP-3Z
包裝說明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
針數 0
制造商包裝代碼 PRSS0004ZM
Reach Compliance Code compliant
ECCN代碼 EAR99
Factory Lead Time 4 weeks
風險等級 9.62
Samacsys Description Switching N-Channel Power Mosfet
Samacsys Manufacturer Renesas Electronics
Samacsys Modified On 2022-04-28 13:17:55
外殼連接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 200 V
最大漏極電流 (Abs) (ID) 8 A
最大漏極電流 (ID) 8 A
最大漏源導通電阻 0.43 Ω
FET 技術 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼 TO-252
JESD-30 代碼 R-PSSO-G2
元件數量 1
端子數量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 150 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度） NOT SPECIFIED
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 24 W
子類別 FET General Purpose Power
表面貼裝 YES
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長時間 NOT SPECIFIED
晶體管應用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON
參數規格與技術文檔
下載: 2SK3635-Z-E1-AZ
Renesas Electronics Corporation
下載: 2SK3635-Z-E1-AZ
Renesas Electronics Corporation
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