2SK3433-AZ

2SK3433-AZ屬性

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2SK3433-AZ描述

參數名稱 參數值
Source Content uid 2SK3433-AZ
Brand Name Renesas
是否無鉛 不含鉛 不含鉛
是否Rohs認證 符合 符合
生命周期 End Of Life
Objectid 1819301545
零件包裝代碼 MP-25
包裝說明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
針數 3
制造商包裝代碼 PRSS0004AH
Reach Compliance Code compliant
ECCN代碼 EAR99
風險等級 8.82
Samacsys Description General Purpose Power MOSFETs Nch Single Power MOSFET 60V 40A 26mohm MP-25/TO-220AB
Samacsys Manufacturer Renesas Electronics
Samacsys Modified On 2023-03-07 16:10:32
YTEOL 2.5
雪崩能效等級（Eas） 44 mJ
外殼連接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 60 V
最大漏極電流 (Abs) (ID) 40 A
最大漏極電流 (ID) 40 A
最大漏源導通電阻 0.041 Ω
FET 技術 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼 TO-220AB
JESD-30 代碼 R-PSFM-T3
元件數量 1
端子數量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 150 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 FLANGE MOUNT
峰值回流溫度（攝氏度） 260
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 47 W
最大脈沖漏極電流 (IDM) 80 A
認證狀態 Not Qualified
子類別 FET General Purpose Power
表面貼裝 NO
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長時間 10
晶體管應用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON
參數規格與技術文檔
下載: 2SK3433-AZ
Renesas Electronics Corporation
下載: 2SK3433-AZ
Renesas Electronics Corporation
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