vishay intertechnology推出2010年的“super 12”高性能產品。這些系列器件具有業內領先的標準，如容值電壓、電流等級和導通電阻。是很多關鍵應用的理想選擇，也是vishay廣泛的產品線組合的典型代表產品。

2010年將要發布的super 12產品是：

597d和t97多模鉭電容：對于+28v應用，工業級的597d和hi-rel cots t97d系列是業內首批75v額定電壓的鉭電容。這些器件具有業內最高的容值-電壓，從4v電壓的1500μf到75v電壓的15μf，可節省pcb空間，同時低至15mΩ的超低esr提高了設計效率。

mkp 1848聚丙烯薄膜電容：對于直流應用，mkp 1848電容的額定容值為1μf～400μf，有2個或4個引腳用于pcb安裝(mkp 1848)，額定容值為60μf～400μf的器件采用總線條，用于直接igbt安裝(mkp 1848 pcp)。

ihlp^®-6767功率電感：ihlp-6767器件是目前額定電流最高的smd功率電感。器件的尺寸為4.0mm x 7.0mm，電流可達100a，感值為100μh，還具有優異的溫度穩定性。

wsms和wsbs高功率分流電阻：wsms功率計分流電阻和wsbs車用電池分流電阻具有50μΩ～500μΩ的極低阻值，2908、3124和5515外形尺寸電阻的功率為3w，8518尺寸的功率達36w。器件的全焊接結構使器件可以在大于400a的連續電流下工作。

lps平板厚膜電阻：lps系列采用緊湊的57mm x 60mm的外形尺寸，功率耗散達800w，重量為83g。器件的絕緣強度達12kv_rms，阻值范圍為0.3Ω～900kΩ。

無磁mlcc：這些mlcc電容采用無磁材料制造，采用多種組裝方式，包括導電樹脂和紅外回流焊組裝。器件具有各種尺寸、電壓等級和容值，采用了貴金屬和濕法制造工藝，以達到高可靠性。

第三代trenchfet^® p溝道mosfet：這種最新一代的p溝道硅技術使器件實現了業內最佳的導通電阻標準，如采用powerpak^® so-8封裝的導通電阻為1.9mΩ。第三代trenchfet p溝道mosfet的r_ds(on)只有市場上最接近器件的一半，用更低的傳導損耗實現了更高的效率，使采用電池的應用在兩次充電之間的時間更長。這種mosfet還提供完整的封裝選項，包括1.6mm x 1.6mm的powerpak sc-75封裝。

20a的第5代肖特基二極管20wt04fn：20wt04fn是業界首款采用d-pak封裝的20a、40v二極管。該器件的工作溫度可高達+175℃，在20a、+125℃下的最大正向電壓降為0.530v，在45v、+125℃下的最大反向漏電流為7ma。

mss1p2u和mss1p3u esmp^tm smd肖特基勢壘整流器：mss1p2u和mss1p3u microsmp整流器具有高電流密度，在0.4v電壓下具有0.35v的超低正向電壓降，典型厚度為0.68mm。

vo3120和vo3150a igbt/mosfet驅動器：這些2.5a和0.5a的驅動器的供電電壓范圍為15v～32v，工作溫度范圍為+40℃～+110℃。

sic769 drmos 6x6：sic769集成式mosfet和驅動ic方案具有業內最佳的功率密度，可用于主流的多相vcore應用。新器件完全符合針對高功率cpu系統中電壓調整器(vr)的drmos標準，工作頻率可達1mhz。

第9代super junction^tm fet mosfet：vishay的22a、600v super junction fet mosfet具有低至0.19Ω(最大)的導通電阻，改善了導通電阻與柵極電荷的乘積，即優值(fom)。