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2011年度12大元器件特色產品

發布時間:2011/5/20 10:20:51 訪問次數:962

2011年的super 12產品如下:

51電子網公益庫存:
www.laoweixiu.com/OP07DRZ-REEL-s.html
P8049AH/8462
QC2021-0001B
S1D13305F00A
U3741BM
V32-INTFC3
www.laoweixiu.com/stock_W/W78E52P.html
X2212AP
Y22759E
000H10IED

 a; 146 cti smd極化鋁電容器——對于汽車應用,通過aec-q200認證的146 cti電容器兼具+125℃的高溫性能、低至0.035?的esr,及在+125℃下長達6000小時的使用壽命。器件具有從10mmx10mm至18mmx21mm共8種外形尺寸。

b; sir662dp 60 v n溝道功率mosfet——在采用powerpak? so-8型封裝的60v器件當中,sir662dp具有業內最低的導通電阻和導通電阻與柵極電荷乘積(fom)。器件在4.5v下的導通電阻為3.5m?,比最接近的器件低27%,在4.5v下的fom為105m?-nc,比最接近的器件低57%。

c; ihlp?-6767gz-51功率電感器——ihlp-6767gz-51是目前市場上具有最高的溫度范圍(高達+155℃)和最高電流等級的表面貼裝功率電感器。器件的頻率范圍高達750khz,典型dcr低至0.89m?,感值低至0.47μh。

d; 45v tmbs? trench mos勢壘肖特基整流器——除p600軸向、功率to-220ab、ito-220ab、to-262aa和to263ab封裝外,vishay的45v tmbs整流器還具有典型高度只有1.1mm的非常薄的封裝。器件在15a和+125℃條件下具有0.39v的正向電壓,最高工作結溫可達+150℃。

e; acas at薄膜芯片電阻陣列——vishay的acas at電阻陣列通過了aec-q200認證,在單片封裝內具有精度相互匹配的電阻,可用于分壓器和反饋電路。器件每個電阻的功率等級(p70)高達125mw,潮濕敏感度低于0.5%(85℃;85%rh;56天),tcr跟蹤低至10ppm/k (±5 ppm/k)。

f;vcnl4000全集成型接近/環境光傳感器——vcnl4000是業內首款將紅外發射器、光敏pin二極管、環境光探測器、信號處理ic和16位adc裝進3.95 mm x 3.95 mm x 0.75 mm的小尺寸無引線(llp)表面貼裝封裝內的環境光傳感器。這款器件具有占用空間小的特點,并且具有易用的i2c總線通信接口,在各種各樣的消費和工業應用中能夠大大簡化設計

 g; ntc mini lug傳感器——vishay的mini lug ntc傳感器只需要業內最小的65mm2 / 0.1in2安裝空間,響應時間小于4秒,能夠快速和準確地測量-40℃~+125℃范圍內的溫度。

h;dg9454三端spdt(2:1復用器)——dg9454為3d快門式眼鏡進行了優化,在2.7v~12v的v+和2.5v~+5.5v的vl工作電壓范圍內可確保兼容1.8v的邏輯電平,小于1?a的功耗能夠大大延長電池壽命。

 i;tp3tantamount?模壓外殼smd電容器——汽車級的tp3具有牢固的結構和低esr,適用于引擎控制和安全系統。電容器經過了100%的浪涌電流測試,提供業界標準的a~e外形尺寸,以及擴大了容值和電壓范圍的新的w外形尺寸。                 深圳市粵科達電子限公司     

  j; 600v fred pt超快恢復二極管——對于dcm、crm和ccm pfc應用,vishay的600v超快恢復二極管能夠提供豐富多樣的功率封裝和高達+175℃的工作結溫,可實現更穩固和更具性價比的設計方案。器件具有極低的泄漏電流、正向電壓等級,以及qrr和trr。新的“u”系列采用了特殊設計,具有超快的軟恢復時間。

 k;wslp、wslt、wsls和wsh power metal strip?電阻——vishay的power metal strip電阻為檢流和脈沖應用提供了增強的功率處理能力和環境性能。wslt電阻可在+275℃溫度下工作。采用1206和2818外形尺寸的wslp和wsh電阻分別具有高達1w和5w的功率。wsls具有更好的穩定性,可達0.25%和0.5%。

 l; siz730dt非對稱雙芯片功率mosfet——siz730dt將高邊和低邊mosfet組合在一個小尺寸6mmx3.7mm的powerpair封裝內,這種封裝比兩片分立的powerpak 1212-8封裝小1/3,比兩片分立的so-8封裝小2/3,從而節省空間并提高性能。此外,器件的非對稱設計使導通電阻比使用powerpak 1212-8封裝的低邊mosfet低30%。vishay intertechnology, inc.宣布,vishay發布2011年的“super 12”特色產品。這些元器件具有業界領先的規格標準,如導通電阻、導通電阻與柵極電荷乘積(fom)、溫度范圍和電流等級。這些創新產品是許多關鍵應用的上佳之選,也充分反映出vishay產品線之豐富。

2011年的super 12產品如下:

51電子網公益庫存:
www.laoweixiu.com/OP07DRZ-REEL-s.html
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QC2021-0001B
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V32-INTFC3
www.laoweixiu.com/stock_W/W78E52P.html
X2212AP
Y22759E
000H10IED

 a; 146 cti smd極化鋁電容器——對于汽車應用,通過aec-q200認證的146 cti電容器兼具+125℃的高溫性能、低至0.035?的esr,及在+125℃下長達6000小時的使用壽命。器件具有從10mmx10mm至18mmx21mm共8種外形尺寸。

b; sir662dp 60 v n溝道功率mosfet——在采用powerpak? so-8型封裝的60v器件當中,sir662dp具有業內最低的導通電阻和導通電阻與柵極電荷乘積(fom)。器件在4.5v下的導通電阻為3.5m?,比最接近的器件低27%,在4.5v下的fom為105m?-nc,比最接近的器件低57%。

c; ihlp?-6767gz-51功率電感器——ihlp-6767gz-51是目前市場上具有最高的溫度范圍(高達+155℃)和最高電流等級的表面貼裝功率電感器。器件的頻率范圍高達750khz,典型dcr低至0.89m?,感值低至0.47μh。

d; 45v tmbs? trench mos勢壘肖特基整流器——除p600軸向、功率to-220ab、ito-220ab、to-262aa和to263ab封裝外,vishay的45v tmbs整流器還具有典型高度只有1.1mm的非常薄的封裝。器件在15a和+125℃條件下具有0.39v的正向電壓,最高工作結溫可達+150℃。

e; acas at薄膜芯片電阻陣列——vishay的acas at電阻陣列通過了aec-q200認證,在單片封裝內具有精度相互匹配的電阻,可用于分壓器和反饋電路。器件每個電阻的功率等級(p70)高達125mw,潮濕敏感度低于0.5%(85℃;85%rh;56天),tcr跟蹤低至10ppm/k (±5 ppm/k)。

f;vcnl4000全集成型接近/環境光傳感器——vcnl4000是業內首款將紅外發射器、光敏pin二極管、環境光探測器、信號處理ic和16位adc裝進3.95 mm x 3.95 mm x 0.75 mm的小尺寸無引線(llp)表面貼裝封裝內的環境光傳感器。這款器件具有占用空間小的特點,并且具有易用的i2c總線通信接口,在各種各樣的消費和工業應用中能夠大大簡化設計

 g; ntc mini lug傳感器——vishay的mini lug ntc傳感器只需要業內最小的65mm2 / 0.1in2安裝空間,響應時間小于4秒,能夠快速和準確地測量-40℃~+125℃范圍內的溫度。

h;dg9454三端spdt(2:1復用器)——dg9454為3d快門式眼鏡進行了優化,在2.7v~12v的v+和2.5v~+5.5v的vl工作電壓范圍內可確保兼容1.8v的邏輯電平,小于1?a的功耗能夠大大延長電池壽命。

 i;tp3tantamount?模壓外殼smd電容器——汽車級的tp3具有牢固的結構和低esr,適用于引擎控制和安全系統。電容器經過了100%的浪涌電流測試,提供業界標準的a~e外形尺寸,以及擴大了容值和電壓范圍的新的w外形尺寸。                 深圳市粵科達電子限公司     

  j; 600v fred pt超快恢復二極管——對于dcm、crm和ccm pfc應用,vishay的600v超快恢復二極管能夠提供豐富多樣的功率封裝和高達+175℃的工作結溫,可實現更穩固和更具性價比的設計方案。器件具有極低的泄漏電流、正向電壓等級,以及qrr和trr。新的“u”系列采用了特殊設計,具有超快的軟恢復時間。

 k;wslp、wslt、wsls和wsh power metal strip?電阻——vishay的power metal strip電阻為檢流和脈沖應用提供了增強的功率處理能力和環境性能。wslt電阻可在+275℃溫度下工作。采用1206和2818外形尺寸的wslp和wsh電阻分別具有高達1w和5w的功率。wsls具有更好的穩定性,可達0.25%和0.5%。

 l; siz730dt非對稱雙芯片功率mosfet——siz730dt將高邊和低邊mosfet組合在一個小尺寸6mmx3.7mm的powerpair封裝內,這種封裝比兩片分立的powerpak 1212-8封裝小1/3,比兩片分立的so-8封裝小2/3,從而節省空間并提高性能。此外,器件的非對稱設計使導通電阻比使用powerpak 1212-8封裝的低邊mosfet低30%。vishay intertechnology, inc.宣布,vishay發布2011年的“super 12”特色產品。這些元器件具有業界領先的規格標準,如導通電阻、導通電阻與柵極電荷乘積(fom)、溫度范圍和電流等級。這些創新產品是許多關鍵應用的上佳之選,也充分反映出vishay產品線之豐富。

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