新技術針對電機驅動應用提供更好的軟關斷功能，有助于把dv/dt降到最低，從而減少電磁干擾、抑制過壓，從而提升可靠性與耐用性。這個平臺的參數分布較窄，在高電流功率模塊內并聯起多個igbt之時，可提供出色的電流分配。薄晶圓技術則改善了熱電阻和達到175°c的最高結溫。

51電子網公益庫存:

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ir的gen8 igbt平臺旨在為工業應用提供卓越技術。該igbt平臺憑借高性能vce(on)、超卓的耐用性及一流的開關功能，使工業市場中的艱巨難題迎刃而解。


產品規格

ir 器件編號	vces	ic (nom)	vce(on) (典型)	封裝
irg8ch15k10f	1200v	10a	1.7	膜上裸片
irg8ch20k10f		15a
irg8ch29k10f		25a
irg8ch38k10f		35a
irg8ch42k10f		40a
irg8ch50k10f		50a
irg8ch76k10f		75a
irg8ch97k10f		100a
irg8ch137k10f		150a
irg8ch182k10f		200a

產品供應

ir gen8 1200v igbt平臺的樣本已開始提供給各大原始設備制造商 (oem) 及原始設計制造商 (odm) 合作伙伴。



國際整流器公司 (international rectifier，簡稱ir) 推出新一代絕緣柵雙極型晶體管 (igbt) 技術平臺。全新第八代 (gen8) 1200v igbt技術平臺采用ir的新一代溝道柵極場截止技術，為工業及節能應用提供卓越性能。

全新的gen8設計可讓高性能vce(on) 降低功耗及增加功率密度，并可提供超卓的耐用性。ir亞太區：“通過開發全新基準技術及頂尖的igbt硅平臺，彰顯出ir在數十年來致力提升功率電子技術的承諾。我們期望為所有電動馬達提供百分之百變頻，以期更有效地使用電能及綠化環境。”

http://szdcx.51dzw.com/