三星SSD 850PRO固態硬盤
發布時間:2014/7/31 11:46:55 訪問次數:548
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外觀方面,850pro與840pro基本沒差別,內部拆解上850pro其最大的特色就是采用了全新的3d v-nand閃存芯片。3d v-nand閃存芯片采用的垂直單元架構,能夠打破過去閃存芯片在容量方面的局限性,同時也能夠大幅度提升產品的讀寫速度以及穩定性。
閃存芯片的具體型號為k9prgy8s5m,采用了三星自己的32層3d v-nand技術,可提供兩倍于傳統20nm平面nand閃存的密度和寫入速度,并通過改為32層柱狀細胞結構,可以垂直堆疊更多個細胞層,從而提高密度,降低碳足跡,可提供更出色的效能表現以及更好的穩定性、可靠性。
主控方面采用三星第五代mex, s4ln045x01-8030(mex)主控制器,和840pro的300mhz mdx三核主控相比,850pro的mex主控的頻率提高到400mhz,具備更強悍的多任務、多路數據讀寫傳輸能力。
三星850pro固態硬盤緩存同樣來自自家lpddr2-1066 dram緩存,從最大容量為512gb的三星840pro,擁有512mb獨立緩存。而到了最大容量為1tb的850pro,則擁有1gb lpddr2獨立緩存,緩存從最大512mb提升至1gb。http://oskj.51dzw.com/
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外觀方面,850pro與840pro基本沒差別,內部拆解上850pro其最大的特色就是采用了全新的3d v-nand閃存芯片。3d v-nand閃存芯片采用的垂直單元架構,能夠打破過去閃存芯片在容量方面的局限性,同時也能夠大幅度提升產品的讀寫速度以及穩定性。
閃存芯片的具體型號為k9prgy8s5m,采用了三星自己的32層3d v-nand技術,可提供兩倍于傳統20nm平面nand閃存的密度和寫入速度,并通過改為32層柱狀細胞結構,可以垂直堆疊更多個細胞層,從而提高密度,降低碳足跡,可提供更出色的效能表現以及更好的穩定性、可靠性。
主控方面采用三星第五代mex, s4ln045x01-8030(mex)主控制器,和840pro的300mhz mdx三核主控相比,850pro的mex主控的頻率提高到400mhz,具備更強悍的多任務、多路數據讀寫傳輸能力。
三星850pro固態硬盤緩存同樣來自自家lpddr2-1066 dram緩存,從最大容量為512gb的三星840pro,擁有512mb獨立緩存。而到了最大容量為1tb的850pro,則擁有1gb lpddr2獨立緩存,緩存從最大512mb提升至1gb。http://oskj.51dzw.com/
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