全球首款注148層3d堆疊式結構閃存注2，該閃存容量達到256gb（32gb），同時采用了行業領先的三階存儲單元（tlc）技術。這款全新閃存適用于各種產品應用，包括消費級固態硬盤(ssd)、智能手機、平板電腦和內存卡以及面向數據中心的企業級ssd。據悉，樣品將于9月開始發貨。

51電子網公益庫存:

MC908QY4ACDWE

MC9S08SH16CTG

MC9S08AW16CFGE

MC908QC16CDXE

MC908QC16CDZE

MC9S08AC60CFGE

MC9S08AW32CFGE

MC9S08AW16MFGE

MC9S08AW60CFGE

MC9S08AC96CFUE

MC9S08LG32CLH

MPVZ4006GW7U

東芝bics flashtm采用目前世界最尖端的48層堆疊工藝，超越主流2d nand閃存的容量，同時提高了可寫入/擦除次數及可靠性，并提高了寫入速度。

自2007年在全球首次推出了3d堆疊式結構閃存以來注3，東芝一直致力于優化大批量生產的研發。為更好地滿足快速增長的閃存市場需求，東芝將瞄準大容量、小型化的應用領域，積極推動3d堆疊式結構閃存，推出ssd等產品組合。

東芝于1987年在世界上最早開發出nand閃存，作為閃存世界的締造者，一直秉承專業的精神，為消費者提供高速、優質的專業閃存體驗。目前，這一產品在東芝四日市工廠開始生產，預計于2016年上半年完工的新工廠也將生產該產品。

注1：據東芝調查。

注2：一種在硅基板上垂直堆疊閃存存儲單元的結構，相比平面nand閃存（存儲單元位于硅基板上），極大地提高了密度。

注3：據2007年6月12日東芝發布資料

* bics flashtm是東芝公司的商標。