新型智能手表顯示FD-SOI正當時?
發布時間:2016/10/9 9:56:18 訪問次數:741
在今年,業界對fd-soi的討論終于從理論性的制程技術比較,轉移到由產品與應用所決定的技術競爭。
因為沒有可見的終端產品能證明其號稱超低功耗的特色,全空乏絕緣上覆矽(fully depleted silicon on insulator,fd-soi)制程一直得努力克服半導體產業界許多工程師的質疑,例如:該技術的好處在哪?在商業市場上有實際產品嗎?它真正的優勢何在?
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終于,現在有實際產品可以做為fd-soi制程的實證──是一只中國智慧型手機品牌業者小米(xiaomi)副品牌華米(huami)新推出的智慧手表amazfit,內建了日本大廠索尼(sony)以28奈米fd-soi制程生產的gps晶片。
amazfit定價120美元,配備了一系列運動追蹤感測器以及藍牙低功耗4.0晶片、wi-fi無線晶片、gps晶片、心律感測器以及nfc;該款智慧手表的獨特之處在于較長的電池壽命,據華米表示,它能五天充電一次、或是開啟gps功能35小時。
這是sony的一場勝利,對fd-soi支持者來說甚至是更大的勝利;華米的智慧手表證明了該技術號稱超低功耗的特性。
法國晶圓業者soitec執行長paul boudre在接受ee times訪問時表示:“去年產業界對fd-soi的討論集中在該技術與另一種制程技術finfet之間的競爭;”而在今年,業界對fd-soi的討論終于從理論性的制程技術比較,轉移到由產品與應用所決定的技術競爭。他指出,衡量fd-soi的標準在于該技術能為終端產品帶來的價值,也就是它實際的能源使用效益。
sony是在2015年1月于日本東京舉行的soi產業聯盟會議上,發表以28奈米fd-soi制程技術制造的新一代全球衛星導航系統(gnss)晶片;接著在今年初舉行的國際固態電路會議(isscc)上,sony的工程師團隊發表了一篇關于28奈米fd-soi制程gnss接收器的技術論文。
該篇sony論文作者指出,gnss是感測處理器的基礎,至于該功能為何如此難以內建于可穿戴系統,是因為目前的gnss接收器耗電量約10mw:“gnss接收器的低雜訊rf需要高供應電壓,帶來非常高的耗電。”
sony的設計工程師是透過有效利用fd-soi制程開發出的0.7v射頻(rf)電路實現其技術突破;在上個月,sony也參加了在中國上海舉行的fd-soi論壇,探討該公司的fd-soi制程gnss接收器最終成品。
隨著sony完成了fd-soi制程的gps/gnss晶片rf與邏輯電路設計,該公司將持續追蹤位置的rf功耗,從6.3mw (前一代晶片)大幅降低至1.5mw。
對中國市場的影響
soitec的boudre指出,華米智慧手表的電池續航力在gps功能開啟的情況下,是競爭產品的2.5倍,藉此證明了sony晶片的價值,以及fd-soi制程技術在功耗/性能/成本方面的優勢。
在這樣的推廣效應下,中國的無晶圓廠晶片設計業者開始對于以fd-soi制程設計晶片越來越有興趣;boudre預測,在未來12~18個月:“會發現來自中國的終端產品內,出現更多采用以fd-soi制程設計、制造的晶片。”
此外市場也持續猜測中國純晶圓代工廠上海華力微電子(huali),可能會開始提供fd-soi制程;對此boudre表示:“他們有機會這么做。”
而且boudre透露,華力并非唯一向fd-soi制程靠攏的中國晶圓代工業者;在一年前,soitec與中國的半導體矽材料供應商上海新傲科技(simgui technology)共同宣布,首批采用soitec 獨家smart cut 技術之8寸(200-mm) soi晶圓片,已經在新傲的上海廠產出。
fd-soi制程現況
目前包括三星(samsung)與globalfoundries都在推廣fd-soi制程代工,前者采用28奈米節點,后者是22奈米;而boudre認為,中國也會在fd-soi制程的推廣上扮演要角:“當globalfoundries表示,其fd-soi制程生產線已經有50個設計案進行中,該技術已經接觸產業界每一家晶片制造商。”
就在上個月,globalfoundries宣布,其接續22fdx的下一代fd-soi制程12fdx已經接近量產(參考閱讀);12fdx號稱能提供媲美10奈米finfet制程的性能,比16奈米finfet更佳的功耗表現以及更低的成本。預計12fdx的客戶投片時程在2019上半年。
如boudre所言,某些特定應用需要finfet電晶體的高性能,但有很多連網裝置需要高(rf)整合度、更高的彈性、超低功耗以及更低成本,卻是finfet無法提供的。
最近車用視覺處理器晶片設計業者mobileye決定選擇以finfet制程生產新一代eyeq 5晶片(預計2018年上市),但該公司先前一直是委托意法半導體(stmicroelectronics)采用fd-soi制程生產所有的eyeq視覺處理器晶片。http://deyiic.51dzw.com/
對此boudre表示:“這件事很簡單,mobileye在去年必須要決定制程技術,但當時12奈米fd-soi制程還未就緒,只好選擇另一種制程技術;所以制程發展藍圖真的很重要。”
他指出,法國技術研究機構cea-leti就正在為fd-soi制程開發更長期的技術藍圖,最近已經公布了10奈米的fd-soi制程“矽資料(silicon data)”,該機構現在已經具備7奈米節點的fd-soi制程“建模資料(modeling data)”。
在今年,業界對fd-soi的討論終于從理論性的制程技術比較,轉移到由產品與應用所決定的技術競爭。
因為沒有可見的終端產品能證明其號稱超低功耗的特色,全空乏絕緣上覆矽(fully depleted silicon on insulator,fd-soi)制程一直得努力克服半導體產業界許多工程師的質疑,例如:該技術的好處在哪?在商業市場上有實際產品嗎?它真正的優勢何在?
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終于,現在有實際產品可以做為fd-soi制程的實證──是一只中國智慧型手機品牌業者小米(xiaomi)副品牌華米(huami)新推出的智慧手表amazfit,內建了日本大廠索尼(sony)以28奈米fd-soi制程生產的gps晶片。
amazfit定價120美元,配備了一系列運動追蹤感測器以及藍牙低功耗4.0晶片、wi-fi無線晶片、gps晶片、心律感測器以及nfc;該款智慧手表的獨特之處在于較長的電池壽命,據華米表示,它能五天充電一次、或是開啟gps功能35小時。
這是sony的一場勝利,對fd-soi支持者來說甚至是更大的勝利;華米的智慧手表證明了該技術號稱超低功耗的特性。
法國晶圓業者soitec執行長paul boudre在接受ee times訪問時表示:“去年產業界對fd-soi的討論集中在該技術與另一種制程技術finfet之間的競爭;”而在今年,業界對fd-soi的討論終于從理論性的制程技術比較,轉移到由產品與應用所決定的技術競爭。他指出,衡量fd-soi的標準在于該技術能為終端產品帶來的價值,也就是它實際的能源使用效益。
sony是在2015年1月于日本東京舉行的soi產業聯盟會議上,發表以28奈米fd-soi制程技術制造的新一代全球衛星導航系統(gnss)晶片;接著在今年初舉行的國際固態電路會議(isscc)上,sony的工程師團隊發表了一篇關于28奈米fd-soi制程gnss接收器的技術論文。
該篇sony論文作者指出,gnss是感測處理器的基礎,至于該功能為何如此難以內建于可穿戴系統,是因為目前的gnss接收器耗電量約10mw:“gnss接收器的低雜訊rf需要高供應電壓,帶來非常高的耗電。”
sony的設計工程師是透過有效利用fd-soi制程開發出的0.7v射頻(rf)電路實現其技術突破;在上個月,sony也參加了在中國上海舉行的fd-soi論壇,探討該公司的fd-soi制程gnss接收器最終成品。
隨著sony完成了fd-soi制程的gps/gnss晶片rf與邏輯電路設計,該公司將持續追蹤位置的rf功耗,從6.3mw (前一代晶片)大幅降低至1.5mw。
對中國市場的影響
soitec的boudre指出,華米智慧手表的電池續航力在gps功能開啟的情況下,是競爭產品的2.5倍,藉此證明了sony晶片的價值,以及fd-soi制程技術在功耗/性能/成本方面的優勢。
在這樣的推廣效應下,中國的無晶圓廠晶片設計業者開始對于以fd-soi制程設計晶片越來越有興趣;boudre預測,在未來12~18個月:“會發現來自中國的終端產品內,出現更多采用以fd-soi制程設計、制造的晶片。”
此外市場也持續猜測中國純晶圓代工廠上海華力微電子(huali),可能會開始提供fd-soi制程;對此boudre表示:“他們有機會這么做。”
而且boudre透露,華力并非唯一向fd-soi制程靠攏的中國晶圓代工業者;在一年前,soitec與中國的半導體矽材料供應商上海新傲科技(simgui technology)共同宣布,首批采用soitec 獨家smart cut 技術之8寸(200-mm) soi晶圓片,已經在新傲的上海廠產出。
fd-soi制程現況
目前包括三星(samsung)與globalfoundries都在推廣fd-soi制程代工,前者采用28奈米節點,后者是22奈米;而boudre認為,中國也會在fd-soi制程的推廣上扮演要角:“當globalfoundries表示,其fd-soi制程生產線已經有50個設計案進行中,該技術已經接觸產業界每一家晶片制造商。”
就在上個月,globalfoundries宣布,其接續22fdx的下一代fd-soi制程12fdx已經接近量產(參考閱讀);12fdx號稱能提供媲美10奈米finfet制程的性能,比16奈米finfet更佳的功耗表現以及更低的成本。預計12fdx的客戶投片時程在2019上半年。
如boudre所言,某些特定應用需要finfet電晶體的高性能,但有很多連網裝置需要高(rf)整合度、更高的彈性、超低功耗以及更低成本,卻是finfet無法提供的。
最近車用視覺處理器晶片設計業者mobileye決定選擇以finfet制程生產新一代eyeq 5晶片(預計2018年上市),但該公司先前一直是委托意法半導體(stmicroelectronics)采用fd-soi制程生產所有的eyeq視覺處理器晶片。http://deyiic.51dzw.com/
對此boudre表示:“這件事很簡單,mobileye在去年必須要決定制程技術,但當時12奈米fd-soi制程還未就緒,只好選擇另一種制程技術;所以制程發展藍圖真的很重要。”
他指出,法國技術研究機構cea-leti就正在為fd-soi制程開發更長期的技術藍圖,最近已經公布了10奈米的fd-soi制程“矽資料(silicon data)”,該機構現在已經具備7奈米節點的fd-soi制程“建模資料(modeling data)”。