lt4295性能概要：

51電子網公益庫存:

8205S

8205A

817-A/B/C/D妗?/a>

84VD21182DA-85

82C55

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82C79

8002-A/B

93C46M8

93C46/56/66/86

93C46

• 具正激式 / 反激式控制器的 ieee 802.3af / at / bt (草案 2.0) 受電設備 (pd)

• 外部熱插拔 n 溝道 mosfet 用于實現最低功耗和最高系統效率• 支持高達 71w 的 pd

• 5 事件分級檢測• 出色的浪涌保護 (100v 絕對最大值)

• 寬結溫范圍 ( 40°c 至 125°c)• 采用 lt4321 理想二極管橋時提供 >94% 的端到端效率

• 無光耦合反激模式運行

• 輔助電源支持低至 9v

• 采用 28 引線 4mm x 5mm qfn 封裝。

凌力爾特公司 (linear technology corporation) 推出ieee 802.3bt 受電設備 (pd) 接口控制器lt4295，該器件適用于要求接受高達 71w 功率的應用。下一代以太網供電 (poe) 標準 ieee 802.3bt 使制造商能夠超越 2009 ieee 802.3at 標準分配的 25.5w 功率。凌力爾特準備率先提供符合下一代 ieee 標準的產品。這個新標準又稱為 poe++ 或 4ppoe，提高了功率預算以實現新型應用和功能，同時支持 10gb 以太網 (10gbase-t)，并保持與較舊版本 ieee 設備的向后兼容性。lt4295 符合 ieee 802.3bt (草案 2.0) 要求，支持新宣布的功能，包括所有新增加的 pd 類別 (5、6、7 和 8)、新增加的 pd 類型 (3 類和 4 類) 以及 5 事件分級。lt4295 是一款單特征 802.3bt pd 控制器，集成了一個隔離式開關穩壓器控制器，提供輔助電源支持，能夠在采用高效率正向拓撲和無光耦合反激式拓撲時同步運行。由于集成度很高，所以減少了所需組件和所需占用的電路板空間，從而簡化了前端 pd 設計，使 lt4295 僅憑自身這一個 ic，就能夠高效地向pd 負載供電。與集成功率 mosfet 的傳統 pd 控制器不同，lt4295 控制一個外部 mosfet，以顯著地降低 pd 產生的總體熱量，并最大限度提高電源效率，由于 802.3bt 的功率水平更高，因此這一點尤其重要。一個外部 mosfet 這種架構使用戶能夠按照應用要求選擇 mosfet 尺寸，基于 lt4295 的標準實現方案一般選用 30mΩ rds(on) mosfet。lt4295 有工業和汽車溫度級版本，分別支持 40°c 至 85°c 和 40°c 至 125°c 工作溫度范圍。lt4295 的千片批購價為每片 2.75 美元，已開始生產供貨。lt4295 為包括 lt4276 和 lt4275 在內的凌力爾特現有 poe+ pd 控制器提供了一條升級途徑。為了進一步最大限度提高可用功率，減少 pd 產生的熱量，可使用 lt4321 理想二極管橋式控制器。