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三星在2016年底宣布量產64層3d nand技術，在整體市場競局持續技術領先地位，但從2d技術轉換到3d nand過程中，面臨2d產品投片量減少，3d nand初期良率又不穩定，讓整個nand flash市場缺貨問題更嚴重，業者預期三星64層3d nand會在5、6月開始放量生產，可望紓解市場吃緊狀況。

三星2017年3d nand投資規模將高于先前計劃，三星平澤半導體廠預計最快6月完工，7月有機會正式投產，并進一步擴大增設3d nand生產線，三星2017年在半導體投資額將創下史上新高紀錄，上看176億美元。三星過去在dram市場大舉投資的成功經驗，可能運用在nand flash技術與產能，借以拉大與競爭對手差距。http://jcd07.51dzw.com

美光原本是生產32層3d nand產品，之后跳過48層技術，直接投入研發生產64層3d nand產品，預計2017年第2季開始量產，提供42gb和64gb產品，下半年出貨可望放量，2018年更計劃推出128gb產品，希望同時搶攻消費性ssd和企業ssd兩大應用市場。

半導體業者表示，nand flash技術微縮逐漸面臨瓶頸，全球存儲器大廠紛紛從2d nand技術轉到堆疊式3d nand技術，以持續追求成本降低，美光第一代32層3d nand相較于16納米制程2d nand技術，成本至少減少25%，而第二代64層3d nand技術的成本可再減少30%，美光計劃第2季量產64層3d nand產品。

sk海力士原本生產36層和48層3d nand產品，為能在3d nand市場攻城略地，sk海力士跳過三星、美光、東芝競逐的64層產品技術領域，直接跳到72層3d nand技術，推出容量高達256gb的第四代72層3d nand產品，預計2017年下半進入量產，全力超越競爭對手所推出的64層3d nand產品。

目前nand flash市場除了供給端遭逢新舊技術交接、良率不穩定，導致供給量減少，在終端市場更適逢固態硬碟需求大爆發，由于遇上nand flash晶片缺貨，近期部分下游廠商反應很多大陸系統廠接獲智能型手機標案，但缺少足夠的存儲器可以出貨，通路端甚至把128gb ssd降到96gb容量，以因應整體市場供給吃緊情況。http://jcd08.51dzw.com

現階段三星仍穩居全球固態硬碟市場龍頭，其次是存儲器模組大廠金士頓(kingston)，至于美光、新帝(sandisk)、東芝、創見等緊跟在后，分食全球固態硬碟市場大餅。

隨著各大nand flash陣營紛紛轉進具競爭力的64層和72層3d nand技術，減少2d nand生產，業者預計2017年第4季3d nand總產出將超越2d nand產品，成為整個nand flash市場主力，2017年3d nand時代正式來臨，并在2018年進入96層技術世代。

2017年將是3d nand flash應用市場快速崛起的關鍵年，包括三星電子(samsung electronics)、美光(micron)、東芝(toshiba)等陸續推出具競爭力的64層3d nand flash加入競局，sk海力士(sk hynix)更一舉跳到72層3d nand flash技術以求突圍，由于新舊技術轉換，良率仍不穩定，加上固態硬碟(ssd)需求起飛，造成nand flash市場大缺貨，業者預期2017年下半產出可望大增，全面開啟3d nand flash時代。

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