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高壓超結MOSFET技術

發布時間:2017/11/24 18:01:31 訪問次數:2242

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2SC4710
2SC5343Y
93LC46B/SN
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K3PE4E400K-XGC1
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N1CRAPA6
OCEAN-L-20
P2A30423NP
QS34X245Q3G
R27V3202F-IK4

      憑借600 v coolmos™ cfd7,英飛凌科技股份公司(fse代碼:ifx / otcqx代碼:ifnny)推出最新的高壓超結mosfet技術。該600 v coolmos™ cfd7是coolmos 7系列的新成員。這款全新mosfet滿足了高功率smps市場對諧振拓撲的需求。它的llc和zvs psfb等軟開關拓撲具備業內領先的效率和可靠性。這使其非常適合服務器、電信設備電源和 電動汽車充電站等高功率smps應用。http://tyh.51dzw.com

      該600 v coolmos cfd7的前身是coolmos cfd2。新mosfet的效率比它的前身或競爭性產品高出1.45%之多。它不僅擁有快速開關技術的所有優勢,還兼具高換相穩固性,同時不影響在設計過程中的輕松部署。該600 v coolmos cfd7擁有更低的柵極電荷(qg)和更好的關斷性能。此外,其反向恢復電荷(qrr)比市場上的競爭性產品低69%之多。該600 v coolmos cfd7可為thd和smd器件提供業內領先的解決方案,從而能夠支持高功率密度解決方案。

來源:21ic

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      該600 v coolmos cfd7的前身是coolmos cfd2。新mosfet的效率比它的前身或競爭性產品高出1.45%之多。它不僅擁有快速開關技術的所有優勢,還兼具高換相穩固性,同時不影響在設計過程中的輕松部署。該600 v coolmos cfd7擁有更低的柵極電荷(qg)和更好的關斷性能。此外,其反向恢復電荷(qrr)比市場上的競爭性產品低69%之多。該600 v coolmos cfd7可為thd和smd器件提供業內領先的解決方案,從而能夠支持高功率密度解決方案。

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