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TVP5147M1PFP

STC11F02E-35I-PDIP

PL2303HX

MDD2601

LT1513CT7-3.3

K9F1G08U0D-SCB0

6N136-000E

ACPL-T350-000E

BTA12-600BRG

ESDA6V1SC6

HCNR200-000E

L78L05ACZ

M24256-BWMN6TP

STM32F031K4U6

TL082CN

      格羅方德在其技術研討會上討論了他們在euv上的第一步動作，即在沒有保護膜的情況下使用euv制造觸點和過孔。觸點和通孔的開口面積較小(約百分之幾)，因此落在光罩上的粒子不太可能導致印刷缺陷。在沒有保護膜的情況下生產觸點和過孔可以最大限度地提高吞吐量，并且開始使用euv時無需使用保護膜。雖然目前還沒有足夠的數據能夠確定這種生產方式能夠達到可以接受的良率，但是格羅方德認為可以。 http://pinhui668.51dzw.com

　　臺積電已經在私下討論將euv引入第二代7nm工藝的可能性。在日前舉辦的2017年q4法說會上，臺積電透露，其極紫外光光刻機(extreme ultraviolet lithography: ，簡稱euv光刻機)產能已經取得了較大的進步，目前已經將其電源功率提高到160w，助力7nm和5nm制造，而250瓦euv也已經安裝到位。

　　相對來說，7c比較容易實現，不會造成面積縮小，所以不需要重新設計，7c中使用5個euv光刻層替換15個光學光刻層，從而減少了周期時間，epe和來改善循環時間，epe和電氣分布特性也得到了改善。http://pinhui668.51dzw.com

　　為了實施7c工藝，需要以下條件：

　　高吞吐能力的euv工具-在某種程度上，確定的功耗和吞吐量是不變的。asml的機器有多個旋鈕可以調整吞吐能力，他們現在正在盡最大努力提高吞吐能力和機器運行時間。他們現在出貨的nxe3400b應該滿足這個要求。

　　大于90%的正常運行時間-在12月份的iedm會議上，英特爾表示他們的euv機器的正常運行時間只有75%左右。我采訪光刻技術專家時著重提出了這個問題。asml應該有計劃改善正常運行時間，nxe3400b的正常運行時間預計好不少。