改進型加速MOS關斷
發布時間:2018/3/29 18:06:57 訪問次數:1396
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mosfet因導通內阻低、開關速度快等優點被廣泛應用于開關電源中。mosfet的驅動常根據電源ic和mosfet的參數選擇合適的電路。下面一起探討mosfet用于開關電源的驅動電路。http://startece2.51dzw.com
在使用mosfet設計開關電源時,大部分人都會考慮mosfet的導通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時候也僅僅考慮了這些因素,這樣的電路也許可以正常工作,但并不是一個好的設計方案。更細致的,mosfet還應考慮本身寄生的參數。對一個確定的mosfet,其驅動電路,驅動腳輸出的峰值電流,上升速率等,都會影響mosfet的開關性能。
當電源ic與mos管選定之后,選擇合適的驅動電路來連接電源ic與mos管就顯得尤其重要了。
開關管開通瞬時,驅動電路應能提供足夠大的充電電流使mosfet柵源極間電壓迅速上升到所需值,保證開關管能快速開通且不存在上升沿的高頻振蕩。
開關導通期間驅動電路能保證mosfet柵源極間電壓保持穩定且可靠導通。
關斷瞬間驅動電路能提供一個盡可能低阻抗的通路供mosfet柵源極間電容電壓的快速泄放,保證開關管能快速關斷。
驅動電路結構簡單可靠、損耗小。
電源ic直接驅動是我們最常用的驅動方式,同時也是最簡單的驅動方式,使用這種驅動方式,應該注意幾個參數以及這些參數的影響。第一,查看一下電源ic手冊,其最大驅動峰值電流,因為不同芯片,驅動能力很多時候是不一樣的。第二,了解一下mosfet的寄生電容,如圖1中c1、c2的值。如果c1、c2的值比較大,mos管導通的需要的能量就比較大,如果電源ic沒有比較大的驅動峰值電流,那么管子導通的速度就比較慢。如果驅動能力不足,上升沿可能出現高頻振蕩,即使把圖 1中rg減小,也不能解決問題!ic驅動能力、mos寄生電容大小、mos管開關速度等因素,都影響驅動電阻阻值的選擇,所以rg并不能無限減小。http://startece2.51dzw.com
如果選擇mos管寄生電容比較大,電源ic內部的驅動能力又不足時,需要在驅動電路上增強驅動能力,常使用圖騰柱電路增加電源ic驅動能力。
這種驅動電路作用在于,提升電流提供能力,迅速完成對于柵極輸入電容電荷的充電過程。這種拓撲增加了導通所需要的時間,但是減少了關斷時間,開關管能快速開通且避免上升沿的高頻振蕩。
關斷瞬間驅動電路能提供一個盡可能低阻抗的通路供mosfet柵源極間電容電壓快速泄放,保證開關管能快速關斷。為使柵源極間電容電壓的快速泄放,常在驅動電阻上并聯一個電阻和一個二極管,其中d1常用的是快恢復二極管。這使關斷時間減小,同時減小關斷時的損耗。rg2是防止關斷的時電流過大,把電源ic給燒掉。
在第二點介紹的圖騰柱電路也有加快關斷作用。當電源ic的驅動能力足夠時,對圖 2中電路改進可以加速mos管關斷時間,用三極管來泄放柵源極間電容電壓是比較常見的。如果q1的發射極沒有電阻,當pnp三極管導通時,柵源極間電容短接,達到最短時間內把電荷放完,最大限度減小關斷時的交叉損耗。與圖3拓撲相比較,還有一個好處,就是柵源極間電容上的電荷泄放時電流不經過電源ic,提高了可靠性。http://startece2.51dzw.com
為了滿足如圖 5所示高端mos管的驅動,經常會采用變壓器驅動,有時為了滿足安全隔離也使用變壓器驅動。其中r1目的是抑制pcb板上寄生的電感與c1形成lc振蕩,c1的目的是隔開直流,通過交流,同時也能防止磁芯飽和。
除了以上驅動電路之外,還有很多其它形式的驅動電路。對于各種各樣的驅動電路并沒有一種驅動電路是最好的,只有結合具體應用,選擇最合適的驅動。在設計電源時,有上述幾個角度出發考慮如何設計mos管的驅動電路,如果選用成品電源,不管是模塊電源、普通開關電源、電源適配器等,這部分的工作一般都由電源設計廠家完成。
致遠電子自主研發、生產的隔離電源模塊已有近20年的行業積累,目前產品具有寬輸入電壓范圍,隔離1000vdc、1500vdc、3000vdc及6000vdc等多個系列,封裝形式多樣,兼容國際標準的sip、dip等封裝。同時致遠電子為保證電源產品性能建設了行業內一流的測試實驗室,配備最先進、齊全的測試設備,全系列隔離dc-dc電源通過完整的emc測試,靜電抗擾度高達4kv、浪涌抗擾度高達2kv,可應用于絕大部分復雜惡劣的工業現場,為用戶提供穩定、可靠的電源隔離解決方案。
除了以上驅動電路之外,還有很多其它形式的驅動電路。對于各種各樣的驅動電路并沒有一種驅動電路是最好的,只有結合具體應用,選擇最合適的驅動。http://startece2.51dzw.com
來源:eefocus
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mosfet因導通內阻低、開關速度快等優點被廣泛應用于開關電源中。mosfet的驅動常根據電源ic和mosfet的參數選擇合適的電路。下面一起探討mosfet用于開關電源的驅動電路。http://startece2.51dzw.com
在使用mosfet設計開關電源時,大部分人都會考慮mosfet的導通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時候也僅僅考慮了這些因素,這樣的電路也許可以正常工作,但并不是一個好的設計方案。更細致的,mosfet還應考慮本身寄生的參數。對一個確定的mosfet,其驅動電路,驅動腳輸出的峰值電流,上升速率等,都會影響mosfet的開關性能。
當電源ic與mos管選定之后,選擇合適的驅動電路來連接電源ic與mos管就顯得尤其重要了。
開關管開通瞬時,驅動電路應能提供足夠大的充電電流使mosfet柵源極間電壓迅速上升到所需值,保證開關管能快速開通且不存在上升沿的高頻振蕩。
開關導通期間驅動電路能保證mosfet柵源極間電壓保持穩定且可靠導通。
關斷瞬間驅動電路能提供一個盡可能低阻抗的通路供mosfet柵源極間電容電壓的快速泄放,保證開關管能快速關斷。
驅動電路結構簡單可靠、損耗小。
電源ic直接驅動是我們最常用的驅動方式,同時也是最簡單的驅動方式,使用這種驅動方式,應該注意幾個參數以及這些參數的影響。第一,查看一下電源ic手冊,其最大驅動峰值電流,因為不同芯片,驅動能力很多時候是不一樣的。第二,了解一下mosfet的寄生電容,如圖1中c1、c2的值。如果c1、c2的值比較大,mos管導通的需要的能量就比較大,如果電源ic沒有比較大的驅動峰值電流,那么管子導通的速度就比較慢。如果驅動能力不足,上升沿可能出現高頻振蕩,即使把圖 1中rg減小,也不能解決問題!ic驅動能力、mos寄生電容大小、mos管開關速度等因素,都影響驅動電阻阻值的選擇,所以rg并不能無限減小。http://startece2.51dzw.com
如果選擇mos管寄生電容比較大,電源ic內部的驅動能力又不足時,需要在驅動電路上增強驅動能力,常使用圖騰柱電路增加電源ic驅動能力。
這種驅動電路作用在于,提升電流提供能力,迅速完成對于柵極輸入電容電荷的充電過程。這種拓撲增加了導通所需要的時間,但是減少了關斷時間,開關管能快速開通且避免上升沿的高頻振蕩。
關斷瞬間驅動電路能提供一個盡可能低阻抗的通路供mosfet柵源極間電容電壓快速泄放,保證開關管能快速關斷。為使柵源極間電容電壓的快速泄放,常在驅動電阻上并聯一個電阻和一個二極管,其中d1常用的是快恢復二極管。這使關斷時間減小,同時減小關斷時的損耗。rg2是防止關斷的時電流過大,把電源ic給燒掉。
在第二點介紹的圖騰柱電路也有加快關斷作用。當電源ic的驅動能力足夠時,對圖 2中電路改進可以加速mos管關斷時間,用三極管來泄放柵源極間電容電壓是比較常見的。如果q1的發射極沒有電阻,當pnp三極管導通時,柵源極間電容短接,達到最短時間內把電荷放完,最大限度減小關斷時的交叉損耗。與圖3拓撲相比較,還有一個好處,就是柵源極間電容上的電荷泄放時電流不經過電源ic,提高了可靠性。http://startece2.51dzw.com
為了滿足如圖 5所示高端mos管的驅動,經常會采用變壓器驅動,有時為了滿足安全隔離也使用變壓器驅動。其中r1目的是抑制pcb板上寄生的電感與c1形成lc振蕩,c1的目的是隔開直流,通過交流,同時也能防止磁芯飽和。
除了以上驅動電路之外,還有很多其它形式的驅動電路。對于各種各樣的驅動電路并沒有一種驅動電路是最好的,只有結合具體應用,選擇最合適的驅動。在設計電源時,有上述幾個角度出發考慮如何設計mos管的驅動電路,如果選用成品電源,不管是模塊電源、普通開關電源、電源適配器等,這部分的工作一般都由電源設計廠家完成。
致遠電子自主研發、生產的隔離電源模塊已有近20年的行業積累,目前產品具有寬輸入電壓范圍,隔離1000vdc、1500vdc、3000vdc及6000vdc等多個系列,封裝形式多樣,兼容國際標準的sip、dip等封裝。同時致遠電子為保證電源產品性能建設了行業內一流的測試實驗室,配備最先進、齊全的測試設備,全系列隔離dc-dc電源通過完整的emc測試,靜電抗擾度高達4kv、浪涌抗擾度高達2kv,可應用于絕大部分復雜惡劣的工業現場,為用戶提供穩定、可靠的電源隔離解決方案。
除了以上驅動電路之外,還有很多其它形式的驅動電路。對于各種各樣的驅動電路并沒有一種驅動電路是最好的,只有結合具體應用,選擇最合適的驅動。http://startece2.51dzw.com
來源:eefocus
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