晶體振蕩器電路圖技術指標參數和工作原理
發布時間:2019/3/29 10:00:55 訪問次數:13909
低失調電壓：±250μv
•低失調電壓漂移：±0.5μv/°c
•低噪聲：1 khz時為28 nv /√hz
•高共模抑制：110 db
•低偏置電流：±5 pa
•軌到軌輸入和輸出
•寬帶寬：1.25 mhz gbw
•高壓擺率：5 v /μs
•低靜態電流：每個放大器120μa
•寬電源：±1.35 v至±8 v，2.7 v至16 v.
•強大的emirr性能：emi / rfi濾波器
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晶振在應用具體起到的作用，微控制器的時鐘源可以分為兩類：基于機械諧振器件的時鐘源，如晶振、陶瓷諧振槽路；rc（電阻、電容）振蕩器。一種是皮爾斯振蕩器配置，適用于晶振和陶瓷諧振槽路。另一種為簡單的分立rc振蕩器。基于晶振與陶瓷諧振槽路的振蕩器通常能提供非常高的初始精度和較低的溫度系數。
rc振蕩器能夠快速啟動，成本也比較低，但通常在整個溫度和工作電源電壓范圍內精度較差，會在標稱輸出頻率的5%至50%范圍內變化。但其性能受環境條件和電路元件選擇的影響。需認真對待振蕩器電路的元件選擇和線路板布局。在使用時，陶瓷諧振槽路和相應的負載電容必須根據特定的邏輯系列進行優化。具有高q值的晶振對放大器的選擇并不敏感，但在過驅動時很容易產生頻率漂移（甚至可能損壞）。
影響振蕩器工作的環境因素有：電磁干擾（emi）、機械震動與沖擊、濕度和溫度。這些因素會增大輸出頻率的變化，增加不穩定性，并且在有些情況下，還會造成振蕩器停振。上述大部分問題都可以通過使用振蕩器模塊避免。這些模塊自帶振蕩器、提供低阻方波輸出，并且能夠在一定條件下保證運行。最常用的兩種類型是晶振模塊和集成rc振蕩器（硅振蕩器）。晶振模塊提供與分立晶振相同的精度。硅振蕩器的精度要比分立rc振蕩器高，多數情況下能夠提供與陶瓷諧振槽路相當的精度。選擇振蕩器時還需要考慮功耗。
分立振蕩器的功耗主要由反饋放大器的電源電流以及電路內部的電容值所決定。cmos放大器功耗與工作頻率成正比，可以表示為功率耗散電容值。比如，hc04反相器門電路的功率耗散電容值是90pf。在4mhz、5v電源下工作時，相當于1.8ma的電源電流。再加上20pf的晶振負載電容，整個電源電流為2.2ma。陶瓷諧振槽路一般具有較大的負載電容，相應地也需要更多的電流。相比之下，晶振模塊一般需要電源電流為10ma ~60ma。硅振蕩器的電源電流取決于其類型與功能，范圍可以從低頻（固定）器件的幾個微安到可編程器件的幾個毫安。一種低功率的硅振蕩器，如max7375，工作在4mhz時只需不到2ma的電流。在特定的應用場合優化時鐘源需要綜合考慮以下一些因素：精度、成本、功耗以及環境需求。
分類
石英晶體振蕩器分 非溫度補償式晶體振蕩器、溫度補償晶體振蕩器（tcxo）、電壓控制晶體振蕩器（vcxo）、恒溫控制式晶體振蕩器（ocxo）和數字化/μp補償式晶體振蕩器（dcxo/mcxo）等幾種類型。其中，無溫度補償式晶體振蕩器是最簡單的一種，在日本工業標準（jis）中 ，稱其為標準封裝晶體振蕩器（spxo）。
封裝
與其它電子元件相似，時鐘振蕩器亦采用愈來愈小型的封裝。根據客戶的需要制作各種類型、不同尺寸的晶體振蕩器（具體資料請參看產品手冊）。通常，較小型的器件比較大型的表面貼裝或穿孔封tlv9102idr裝器件更昂貴。所以，小型封裝往往要在性能、輸出選擇和頻率選擇之間作出折衷。
石英晶體振蕩器
是高精度和高穩定度的振蕩器，被廣泛應用于彩電、計算機、遙控器等各類振蕩電路中，以及通信系統中用于頻率發生器、為數據處理設備產生時鐘信號和為特定系統提供基準信號 。
石英晶體振蕩器是利用石英晶體（二氧化硅的結晶體）的壓電效應制成的一種諧振器件，它的基本構成大致是：從一塊石英晶體上按一定方位角切下薄片（簡稱為晶片，它可以是正方形、矩形或圓形等），在它的兩個對應面上涂敷銀層作為電極，在每個電極上各焊一根引線接到管腳上，再加上封裝外殼就構成了石英晶體諧振器，簡稱為石英晶體或晶體、晶振。其產品一般用金屬外殼封裝，也有用玻璃殼、陶瓷或塑料封裝的 。
應用
1．通用晶體振蕩器，用于各種電路中，產生振蕩頻率。
2．時鐘脈沖用石英晶體諧振器，與其它元件配合產生標準脈沖信號，廣泛用于數字電路中。
3．微處理器用石英晶體諧振器。
4．ctvvtr用石英晶體諧振器。
5．鐘表用石英晶體振蕩器。
晶體振蕩器
是指從一塊石英晶體上按一定方位角切下薄片（簡稱為晶片），
石英晶體諧振器，簡稱為石英晶體或晶體、晶振；
而在封裝內部添加ic組成振蕩電路的晶體元件稱為晶體振蕩器。
其產品一般用金屬外殼封裝，
也有用玻璃殼、陶瓷或塑料封裝的。
（文章與圖片均來源于網絡，如有侵權請聯系刪除）
低失調電壓：±250μv
•低失調電壓漂移：±0.5μv/°c
•低噪聲：1 khz時為28 nv /√hz
•高共模抑制：110 db
•低偏置電流：±5 pa
•軌到軌輸入和輸出
•寬帶寬：1.25 mhz gbw
•高壓擺率：5 v /μs
•低靜態電流：每個放大器120μa
•寬電源：±1.35 v至±8 v，2.7 v至16 v.
•強大的emirr性能：emi / rfi濾波器
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晶振在應用具體起到的作用，微控制器的時鐘源可以分為兩類：基于機械諧振器件的時鐘源，如晶振、陶瓷諧振槽路；rc（電阻、電容）振蕩器。一種是皮爾斯振蕩器配置，適用于晶振和陶瓷諧振槽路。另一種為簡單的分立rc振蕩器。基于晶振與陶瓷諧振槽路的振蕩器通常能提供非常高的初始精度和較低的溫度系數。
rc振蕩器能夠快速啟動，成本也比較低，但通常在整個溫度和工作電源電壓范圍內精度較差，會在標稱輸出頻率的5%至50%范圍內變化。但其性能受環境條件和電路元件選擇的影響。需認真對待振蕩器電路的元件選擇和線路板布局。在使用時，陶瓷諧振槽路和相應的負載電容必須根據特定的邏輯系列進行優化。具有高q值的晶振對放大器的選擇并不敏感，但在過驅動時很容易產生頻率漂移（甚至可能損壞）。
影響振蕩器工作的環境因素有：電磁干擾（emi）、機械震動與沖擊、濕度和溫度。這些因素會增大輸出頻率的變化，增加不穩定性，并且在有些情況下，還會造成振蕩器停振。上述大部分問題都可以通過使用振蕩器模塊避免。這些模塊自帶振蕩器、提供低阻方波輸出，并且能夠在一定條件下保證運行。最常用的兩種類型是晶振模塊和集成rc振蕩器（硅振蕩器）。晶振模塊提供與分立晶振相同的精度。硅振蕩器的精度要比分立rc振蕩器高，多數情況下能夠提供與陶瓷諧振槽路相當的精度。選擇振蕩器時還需要考慮功耗。
分立振蕩器的功耗主要由反饋放大器的電源電流以及電路內部的電容值所決定。cmos放大器功耗與工作頻率成正比，可以表示為功率耗散電容值。比如，hc04反相器門電路的功率耗散電容值是90pf。在4mhz、5v電源下工作時，相當于1.8ma的電源電流。再加上20pf的晶振負載電容，整個電源電流為2.2ma。陶瓷諧振槽路一般具有較大的負載電容，相應地也需要更多的電流。相比之下，晶振模塊一般需要電源電流為10ma ~60ma。硅振蕩器的電源電流取決于其類型與功能，范圍可以從低頻（固定）器件的幾個微安到可編程器件的幾個毫安。一種低功率的硅振蕩器，如max7375，工作在4mhz時只需不到2ma的電流。在特定的應用場合優化時鐘源需要綜合考慮以下一些因素：精度、成本、功耗以及環境需求。
分類
石英晶體振蕩器分 非溫度補償式晶體振蕩器、溫度補償晶體振蕩器（tcxo）、電壓控制晶體振蕩器（vcxo）、恒溫控制式晶體振蕩器（ocxo）和數字化/μp補償式晶體振蕩器（dcxo/mcxo）等幾種類型。其中，無溫度補償式晶體振蕩器是最簡單的一種，在日本工業標準（jis）中 ，稱其為標準封裝晶體振蕩器（so）。
封裝
與其它電子元件相似，時鐘振蕩器亦采用愈來愈小型的封裝。根據客戶的需要制作各種類型、不同尺寸的晶體振蕩器（具體資料請參看產品手冊）。通常，較小型的器件比較大型的表面貼裝或穿孔封tlv9102idr裝器件更昂貴。所以，小型封裝往往要在性能、輸出選擇和頻率選擇之間作出折衷。
石英晶體振蕩器
是高精度和高穩定度的振蕩器，被廣泛應用于彩電、計算機、遙控器等各類振蕩電路中，以及通信系統中用于頻率發生器、為數據處理設備產生時鐘信號和為特定系統提供基準信號 。
石英晶體振蕩器是利用石英晶體（二氧化硅的結晶體）的壓電效應制成的一種諧振器件，它的基本構成大致是：從一塊石英晶體上按一定方位角切下薄片（簡稱為晶片，它可以是正方形、矩形或圓形等），在它的兩個對應面上涂敷銀層作為電極，在每個電極上各焊一根引線接到管腳上，再加上封裝外殼就構成了石英晶體諧振器，簡稱為石英晶體或晶體、晶振。其產品一般用金屬外殼封裝，也有用玻璃殼、陶瓷或塑料封裝的 。
應用
1．通用晶體振蕩器，用于各種電路中，產生振蕩頻率。
2．時鐘脈沖用石英晶體諧振器，與其它元件配合產生標準脈沖信號，廣泛用于數字電路中。
3．微處理器用石英晶體諧振器。
4．ctvvtr用石英晶體諧振器。
5．鐘表用石英晶體振蕩器。
晶體振蕩器
是指從一塊石英晶體上按一定方位角切下薄片（簡稱為晶片），
石英晶體諧振器，簡稱為石英晶體或晶體、晶振；
而在封裝內部添加ic組成振蕩電路的晶體元件稱為晶體振蕩器。
其產品一般用金屬外殼封裝，
也有用玻璃殼、陶瓷或塑料封裝的。
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