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增強隔離功能隔離驅動三相3級并網逆變設計

發布時間:2020/5/6 9:24:41 訪問次數:3095

tida-01606


用于太陽能串式逆變器

10kw三相3級并網逆變器參考設計


51電子網公益庫存:
ADP8140ACPZ-2-R7
ADPA7006CHIP
ADPA7006C-KIT
ADR291GRU
ADR291GRUZ
ADR292GRUZ
ADS1000A0IDBVT
ADS1000A0QDBVRQ1
ADS1000A1IDBVR
ADS7841QDBQRRB
ADT7320UCPZ
ADT7461AR
ADT7461ARZ
ADUM3210TRZ-RL7
ADV7403KSTZ-110
ADV7495BBSTZ-170
AO3404A
AO8810
AOB5B65M1
AON6262E
AP1084D
AP1084DL-13
AP3126ATBER
AP6694-R95MOG
AP6710M-R95MOG
APW8713AQBI-TRG
APX823-44W5G-7
AQ3400-02UTG
AS0A426-N4RN-7F
AS1138
ADUC7060BSTZ32-RL
ADS1000A0IDBVR
ADP8140ACPZ-1-R7
AS3647-ZWLT
ASM330LHHTR














功效:

800v / 1000vdc時

額定標稱/最大輸入電壓

400vac 50 / 60hz并網連接時

最大輸出功率為10kw / 10kva

工作功率因數范圍從0.7lag到0.7lead

基于高壓(1200v)sicmosfet

全橋逆變器,

峰值效率高達99%

滿載時輸出電流thd <2%

使用amc1301的隔離式

電流感測用于負載電流監控

具有增強隔離功能

隔離驅動器iso5852s

用于驅動高壓sic mosfet,

而ucc5320s用于驅動中間si igbt

產品概述:

tida-01606

該經過驗證的參考設計

概述了如何實現基于sic的三相三相dc

ac并網逆變器級.









50khz的較高開關頻率減小了

濾波器設計的磁學尺寸,

實現了更高的功率密度。

使用具有開關損耗的sic mosfet

可以確保高達1000v的更高dc總線電壓

更低的開關損耗,

峰值效率為99%。

此設計可配置為用作兩級或三級逆變器。

該系統由單個c2000微控制器

(mcu)tms320f28379d控制,

該微控制器在所有工作模式

為所有功率電子開關設備生成pwm波形。

(素材: texasinstruments如涉版權請聯系刪除)


tida-01606


用于太陽能串式逆變器

10kw三相3級并網逆變器參考設計


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AO8810
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AON6262E
AP1084D
AP1084DL-13
AP3126ATBER
AP6694-R95MOG
AP6710M-R95MOG
APW8713AQBI-TRG
A823-44W5G-7
AQ3400-02UTG
AS0A426-N4RN-7F
AS1138
ADUC7060BSTZ32-RL
ADS1000A0IDBVR
ADP8140ACPZ-1-R7
AS3647-ZWLT
ASM330LHHTR














功效:

800v / 1000vdc時

額定標稱/最大輸入電壓

400vac 50 / 60hz并網連接時

最大輸出功率為10kw / 10kva

工作功率因數范圍從0.7lag到0.7lead

基于高壓(1200v)sicmosfet

全橋逆變器,

峰值效率高達99%

滿載時輸出電流thd <2%

使用amc1301的隔離式

電流感測用于負載電流監控

具有增強隔離功能

隔離驅動器iso5852s

用于驅動高壓sic mosfet,

而ucc5320s用于驅動中間si igbt

產品概述:

tida-01606

該經過驗證的參考設計

概述了如何實現基于sic的三相三相dc

ac并網逆變器級.









50khz的較高開關頻率減小了

濾波器設計的磁學尺寸,

實現了更高的功率密度。

使用具有開關損耗的sic mosfet

可以確保高達1000v的更高dc總線電壓

更低的開關損耗,

峰值效率為99%。

此設計可配置為用作兩級或三級逆變器。

該系統由單個c2000微控制器

(mcu)tms320f28379d控制,

該微控制器在所有工作模式

為所有功率電子開關設備生成pwm波形。

(素材: texasinstruments如涉版權請聯系刪除)


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