高壓功率因數校正或開關功率轉換捕獲95%的背散射電子
發布時間:2021/12/26 22:30:19 訪問次數:551
stx16n65m5系列也是650v產品,額定rds(on) 為0.299 Ω,額定電流為12a。
新產品650v的擊穿電壓高于競爭品牌的600v產品的擊穿電壓,為設計工程師提供寶貴的安全裕量。
意法半導體的mdmesh v mosfet的另一項優點是,關斷波形更加平滑,柵極控制更加容易,并且由于emi降低,濾波設計更加簡單。
mdmesh v mosfet的節能優勢和高功率密度將會給終端用戶產品的節能帶來實質性提升,例如:筆記本電腦的電源適配器、液晶顯示器、電視機、熒光燈鎮流器、電信設備、太陽能電池轉換器以及其它的需要高壓功率因數校正或開關功率轉換的應用設備。
產品優勢
低功耗:emb-4852主板是低功耗epic專用板,它秉承了華北工控一貫嚴謹的設計風格,在保證穩定高效的性能輸出同時,發熱量小,僅為4w,無風扇設計,噪音低,完全適合醫院等特定場合下的工作需要。
支持pc/104-plus擴展:摒棄傳統的pc/104,采用支持32-位 pci總線信號的pc/104-plus,支持高速i/o設備存取,有效提高系統的數據吞吐率,極大地減小了系統架構所需的尺寸。
豐富的io接口:2個sataⅡ 接口, 4個usb2.0,2個串口,提供靈活、可擴展的pc104+,支持千兆以太網的接口。通過完備的i/o和可擴展能力,emb-4852為多功能應用提供了更多選擇。
應用材料公司業內領先的電子束鏡筒技術可以提供當下可實現的最高電子密度,支持1納米分辨率的精細成像。
憑借數十年cd sem系統和算法專業知識,為關鍵特征提供準確、高精度的測量。每小時能夠執行1000萬次測量,測量結果準確且切實可行。
應用材料公司獨特的elluminator®技術能夠捕獲95%的背散射電子,以便同時快速測量多個層次的關鍵尺寸和邊緣布局。
支持廣泛的電子束能級。高能模式支持快速測量,深度達數百納米。低能模式支持對包括euv光刻膠在內的各種脆性材料和結構進行無損測量.
(素材來源:eccn和21ic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)
stx16n65m5系列也是650v產品,額定rds(on) 為0.299 Ω,額定電流為12a。
新產品650v的擊穿電壓高于競爭品牌的600v產品的擊穿電壓,為設計工程師提供寶貴的安全裕量。
意法半導體的mdmesh v mosfet的另一項優點是,關斷波形更加平滑,柵極控制更加容易,并且由于emi降低,濾波設計更加簡單。
mdmesh v mosfet的節能優勢和高功率密度將會給終端用戶產品的節能帶來實質性提升,例如:筆記本電腦的電源適配器、液晶顯示器、電視機、熒光燈鎮流器、電信設備、太陽能電池轉換器以及其它的需要高壓功率因數校正或開關功率轉換的應用設備。
產品優勢
低功耗:emb-4852主板是低功耗epic專用板,它秉承了華北工控一貫嚴謹的設計風格,在保證穩定高效的性能輸出同時,發熱量小,僅為4w,無風扇設計,噪音低,完全適合醫院等特定場合下的工作需要。
支持pc/104-plus擴展:摒棄傳統的pc/104,采用支持32-位 pci總線信號的pc/104-plus,支持高速i/o設備存取,有效提高系統的數據吞吐率,極大地減小了系統架構所需的尺寸。
豐富的io接口:2個sataⅡ 接口, 4個usb2.0,2個串口,提供靈活、可擴展的pc104+,支持千兆以太網的接口。通過完備的i/o和可擴展能力,emb-4852為多功能應用提供了更多選擇。
應用材料公司業內領先的電子束鏡筒技術可以提供當下可實現的最高電子密度,支持1納米分辨率的精細成像。
憑借數十年cd sem系統和算法專業知識,為關鍵特征提供準確、高精度的測量。每小時能夠執行1000萬次測量,測量結果準確且切實可行。
應用材料公司獨特的elluminator®技術能夠捕獲95%的背散射電子,以便同時快速測量多個層次的關鍵尺寸和邊緣布局。
支持廣泛的電子束能級。高能模式支持快速測量,深度達數百納米。低能模式支持對包括euv光刻膠在內的各種脆性材料和結構進行無損測量.
(素材來源:eccn和21ic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)