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0.25μm GaAs增強模式pHEMT工藝技術以控制漏極電流

發布時間:2022/8/15 18:35:03 訪問次數:440

寬帶增益模塊(gain block)或驅動放大器mmic的創新平坦增益高線性度低噪增益模塊產品,采用標準sot-89封裝,尺寸為4.5mmx4.1mmx1.5mm,avago的mga-30689平坦增益高線性度增益模塊可以在40到2,600mhz的頻帶內工作,只需簡單的直流偏壓匹配,不須額外的射頻匹配器件就可以達到高帶寬表現。

mga-30689使用容易且高帶寬的性能表現使它成為移動通信設備、wimax無線基站、衛星和有線電視機頂盒,以及其他各種在40到2,600mhz頻率范圍內工作無線應用的理想選擇。

這款器件的平坦增益和高線性度特性主要來自于使用avago特有的0.25μm gaas增強模式phemt工藝技術,內置的溫度補償偏壓電路更可以提供整體溫度范圍和工藝閥值電壓變化下的穩定電流輸出,另外,高帶寬平坦增益特性也非常適合其他需要在不同頻率下使用相同驅動放大器或增益模塊的無線通信基礎設施設計。

場效應晶體管(ficld-effect t1・ansistor,簡稱fet)也是一種具有pn結結構的半導體器件,它與普通晶體三極管的不同之處在于它是電壓控制器件,而晶體管是電流控制器件。場效應晶體管具有輸入阻抗高、噪聲小、熱穩定性好、便于集成等特點,但容易被靜電擊穿,多用作電壓控制型器件。

常見的場效應晶體管有結型場效應晶體管和絕緣柵型場效應晶體管。

結型場效應管(junction field-e北ct transistor,簡稱jfet)是利用溝道兩邊的耗盡層寬窄來改變溝道導電特性,并用以控制漏極電流的,為結型場效應晶體管的實物外形,結型場效應晶體管的實物外形.


絕緣柵型場效應晶體管(mosfet,簡稱mos場效應晶體管)是利用感應電荷的多少,改變溝道導電特性來控制漏極電流的,其外形與結型場效應晶體管相似。


led具備有效處理高電流的能力,客戶可以利用它創建極其節能和節約成本的照明解決方案,所以oslon led具有成為未來‘綠色’光源的所有特性。

該款led熱阻低,僅為7k/w,使散熱管理變得更為簡單;它尺寸小,使設計師可以更靈活地創建復雜精巧的照明解決方案。如果需要特別強的光線,則可以將幾個光源組合在一起使用。除了色溫介于5700k至6500k 的超白光之外,中白光和暖白光,其色溫范圍介于2700k至4500k之間。

無線基站實施i/q接收器、直接轉換接收器或包括多樣性接收器在內的多通道配置而言,集成的接收器極大地減小了電路板空間和縮短了開發時間。ltm9002利用了多年的應用開發經驗,并將這些經驗體現在一個易于使用的11.25mmx 15mm微型模塊(umodule®)封裝中。



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mga-30689使用容易且高帶寬的性能表現使它成為移動通信設備、wimax無線基站、衛星和有線電視機頂盒,以及其他各種在40到2,600mhz頻率范圍內工作無線應用的理想選擇。

這款器件的平坦增益和高線性度特性主要來自于使用avago特有的0.25μm gaas增強模式phemt工藝技術,內置的溫度補償偏壓電路更可以提供整體溫度范圍和工藝閥值電壓變化下的穩定電流輸出,另外,高帶寬平坦增益特性也非常適合其他需要在不同頻率下使用相同驅動放大器或增益模塊的無線通信基礎設施設計。

場效應晶體管(ficld-effect t1・ansistor,簡稱fet)也是一種具有pn結結構的半導體器件,它與普通晶體三極管的不同之處在于它是電壓控制器件,而晶體管是電流控制器件。場效應晶體管具有輸入阻抗高、噪聲小、熱穩定性好、便于集成等特點,但容易被靜電擊穿,多用作電壓控制型器件。

常見的場效應晶體管有結型場效應晶體管和絕緣柵型場效應晶體管。

結型場效應管(junction field-e北ct transistor,簡稱jfet)是利用溝道兩邊的耗盡層寬窄來改變溝道導電特性,并用以控制漏極電流的,為結型場效應晶體管的實物外形,結型場效應晶體管的實物外形.


絕緣柵型場效應晶體管(mosfet,簡稱mos場效應晶體管)是利用感應電荷的多少,改變溝道導電特性來控制漏極電流的,其外形與結型場效應晶體管相似。


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無線基站實施i/q接收器、直接轉換接收器或包括多樣性接收器在內的多通道配置而言,集成的接收器極大地減小了電路板空間和縮短了開發時間。ltm9002利用了多年的應用開發經驗,并將這些經驗體現在一個易于使用的11.25mmx 15mm微型模塊(umodule®)封裝中。



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