半導體產業未來發展預測與趨勢
發布時間:2023/3/15 8:37:23 訪問次數:284
預測一: 成熟工藝將成為國內晶圓廠擴產主力軍
trendforce集邦咨詢顯示,2021年晶圓代工廠中,成熟制程仍占據76%的市場份額。2022年全球晶圓代工廠年增產能約14%, 其中十二英寸新增產能當中約有65%為成熟制程(28nm及以上)。以全球視角來看,成熟工藝仍是主流:
1、全球視角:世界三大晶圓代工巨頭(臺積電、聯電、格芯),成熟工藝約占總產能的74%。
① 臺積電:成熟工藝約占產能的64%,占銷售額的34%。預計臺積電產能為120萬片/月(12英寸),16nm/7nm/5nm的 產能約為13.7/17.8/12.0萬片,先進制程產能約為43.5萬片/月,占比36%。到2025年其成熟和專業節點的產能將擴大50%。 ② 聯電:放棄先進制程,專注成熟工藝。聯電在2018年宣布不再投資12nm以下的先進制程,自此專注在成熟工藝擴大市 場。目前聯電產能為40萬片/月(12英寸),全部集中在成熟工藝。此外,公司于21年投入約36億美元擴大28nm芯片產能。 ③ 格芯:成熟工藝產能約占83%,退出10nm以下先進制程。格芯于2018年宣布退出10nm及以下的先進制程的研發,目前 擁有的先進制程為12nm。預計目前格芯產能約為20萬片/月(12英寸),擁有先進制程的紐約fab8約占17%。
2、目前國內晶圓廠擴產聚焦在成熟工藝,需求大、供給足、成本性價比高。
① 需求:成熟制程能覆蓋除智能手機以外的絕大多數應用場景,更是電動汽車、智能家電的芯片主力軍。 ② 供給:在光刻機方面,美國芯片法案對中國芯片制造的重點在剛需高端euv光刻機的先進制程,即14nm及以下的fab、 18nm的dram、128層的nand。而目前成熟制程應用的duv光刻機由日本、歐洲掌握,美國的影響力有限。 其他設備方面,北方華創、中微、盛美、拓荊、華海清科、芯源微、萬業、精測等國內半導體設備廠商的產品滿足成熟工藝 的標準,產品管線覆蓋除光刻機外的所有領域,產品性能得到持續驗證,半導體設備國產化率不斷提升。 ③ 成本/工藝:隨著先進制程不斷演進,制造工藝的研發和生產成本逐代上漲,高漲的技術難度和成本高筑進入壁壘。
預測二: 全球半導體產業政策進入密集區
中國在全球半導體產業中仍為“追趕者”姿態,根據sia,2021年半導體行業格局(按產值)為美國(46%)、韓國(21%)、 日本(9%)、歐洲(9%)、中國臺灣(8%)、中國大陸(7%)。隨著半導體行業走向成熟以及競爭環節產生劇變,全球半導 體產業政策也進入密集區,政策主要圍繞“強化自身供應鏈”和“加強研發力度”兩條主線:
1、美國(“芯片法案”,2022年8月):維持技術優勢,吸引全球芯片制造龍頭在美建廠
具體政策:未來五年向半導體行業提供約527億美元的資金支持,并為企業提供價值240億美元的投資稅抵免;提供約2000億 美元的科研經費支持。此外,美國加入“中國護欄”條款,禁止獲得聯邦資金的公司在中國大幅增產先進制程芯片。
2、歐洲(“芯片法案”,2022年2月):加緊先進技術突破,搶占全球市場份額。
具體政策:向半導體行業投入超過430億歐元公共和私有資金。其中,110億歐元將用于加強現有研究、開發和創新。從長期 目標來看,在2030年將歐洲半導體市場份額從2021年的9%提升至20%。
3、日本(“半導體援助法”,2022年3月):財政預算加碼,設備補助提升。
具體政策:只要申請企業提出的生產計劃符合“持續生產10年以上”、“供需緊繃時能增產應對”等條件,最高將可獲得設 備費用“半額”的補助金。此外,日本2021財年預算修正案顯示,約在半導體行業投入7740億日元(約合人民幣423億元)。
預測三: chiplet將成為跨越制程鴻溝的主線技術
chiplet將滿足特定功能的裸芯片通過die-to-die內部互聯技術,實現多個模塊芯片與底層基礎芯片的系統封裝,實現一種新形 勢的ip復用。chiplet不僅是延續后摩爾時代的關鍵,也是國內布局先進制程的解決方案之一,將成為未來行業發展的主線:
1、chiplet是延續后摩爾時代,解決產業發展難題的關鍵所在
chiplet可以大幅提高大型芯片的良率:在高性能計算、ai等方面的巨大運算需求,使得整個芯片晶體管數量暴漲,芯片的面 積也不斷增大,固有不良率帶來的損失增大。而chiplet可以切割成獨立小芯片,有效改善良率,降低不良率帶來的成本增長。
2、chiplet是國內突破技術封鎖,布局先進制程的重要方案
按性能分,芯片分為三種:
【能用】芯片:135-28nm,對應3g手機、家電、消費電子產業
【夠用】芯片:14-7nm含chiplet,對應4g手機、l2輔助駕駛、普通座艙
【好用】芯片:7-2nm的尖端工藝,對應5g手機、l5無人駕駛、高級座艙
預測四:fd-soi將為國內開啟先進制程大門提供可能
隨著5g通信、智能駕駛、人工智能等潮流興起,soi技術憑借高性能、低功效的優勢,帶動soi硅片需求量大幅增加。基于soi 材料的fd-soi是先進工藝(28nm以下)兩大技術路線之一,也是國內突破先進工藝的方案之一:
1、基于soi的兩大技術路線:rf-soi技術用于5g射頻芯片,fd-soi開啟28nm以下先進制程
rf-soi(射頻絕緣體上硅):相較于傳統的gaas和sos技術,不僅成本更低、集成度更高,還發揮了soi材料結構的優勢, 所實現的器件具有高品質、低損耗、低噪聲等射頻性能,主要用于制造智能手機和無線通信設備上的射頻前端芯片。 fd-soi:finfet和fd-soi是發展先進工藝(28nm以下)的兩大解決方案。finfet技術路線的先進工藝帶來了工藝復雜、 工序繁多、良率下降等問題,使得在28 nm以下制程的每門成本不降反升。fd-soi技術路線逐漸得到業界關注。 理論上,利用duv光刻機制造的fd-soi產品,可以達到與采用euv光刻機制造的finfet產品相當的性能。
2、材料:核心技術由法國soitec掌握,中國大陸加快追趕步伐
國外:300mm的soi硅片核心技術由法國soitec掌握,日本信越化學、sumco、中國臺灣環球晶圓等少數企業具備生產能力。 國內:滬硅產業旗下子公司獲得soitec技術授權,公司于2022年2月完成50億定增,其中20億元投入高端硅基材料研發。項 目完成后,滬硅產業將建立300mm高端硅基材料的供應能力,并完成40萬片/年的產能建設,加快在soi領域的追趕步伐。
預測五:risc-v將引領國產cpu ip突破指令集封鎖
risc-v開放的定位是國產芯片實現全產業鏈自主可控的必要基礎,條件約束和技術優勢兩方面因素決定了risc-v與中國半導 體產業雙向選擇。從技術架構、軟硬件生態到量產應用,我國risc-v產業正加速邁向成熟。隨著2023年正式步入高性能計算場 景,基于risc-v開發的cpu ip將成為2023年國產ip主線。
risc-v可以滿足國產cpu架構自主可控需求。不同于x86、arm等國外商業公司壟斷的私有指令集架構,risc-v最大的特 點是開放標準化,是cpu技術變革的一次絕佳機遇,能夠很好的調節軟件普適生態和cpu國產自主可控的雙重需求。riscv生態體系也因此正在全球范圍內快速崛起,成為半導體產業及物聯網、邊緣計算等新興應用領域的重要創新焦點。
risc-v全球化立場鮮明。2019年,risc-v基金會因為擔憂美國的貿易法規而搬到了瑞士,并更名為risc-v international, 進而該開源社區的代碼上傳下載可不受美國出口管制。目前risc-v基金會的22個主要成員中有12個來自中國,占比超過 50%。其中包括華為公司、阿里巴巴集團、中科院計算所等知名企事業單位。
預測六: 反全球化持續,中國半導體內循環開啟
2022年美國通過《美國芯片與科學法案》,其中針對半導體行業,計劃五年內投入527億美元的政府補貼。此外,加入“中國護 欄”條款,禁止獲得聯邦資金的公司在中國大幅增產先進制程芯片。這標志著半導體行業將由全球化大分工,轉向反全球化:
1、1990-2009:美國半導體內循環(一家獨大)
2010年之前,以amd、ibm、德州儀器、intel、鎂光為首的半導體巨頭以idm模式占據了全球領導地位,此時的美國基本上 是超級內循環模式,在全球科技版圖中占據主導地位。
2、2010-2017:全球半導體外循環(全球化蜜月期)
2010 年后,amd、ibm 相繼剝離晶圓廠獨立成格羅方德。美國在 fab 領域和 idm(cpu、dram)的競爭優勢逐步向亞洲轉移, 蘋果主導的全球大分工模式開始。
預測七:終端廠商及設計公司向產業鏈前端滲透
半導體產業鏈三種權利:設計權(決定創新和供給)+代工權(決定安全和產能)+設備權(決定產業鏈安全和工藝底層突破)。 我們認為,芯片產業全球化分工使設計與制造環節分離,存在供應鏈的地理分割,加劇了受外部因素影響而供需失衡的風險, 因此企業向產業鏈前端滲透、實現自主可控已是大勢所趨。
1、對于終端廠商來說,芯片領域將成為新的主戰場,著力于掌握芯片設計權甚至代工權是終端企業未來發展方向。
目前部分下游軟硬件公司逐步開啟芯片自研模式。①智能手機:小米、oppo、vivo等芯片研發主要聚焦于影像、藍牙、電池 管理等細分領域;②智能汽車:以特斯拉為先鋒,傳統車企以及造車新勢力如通用、比亞迪、蔚來等也先后進軍芯片自研;③ 互聯網:亞馬遜、微軟、谷歌、阿里等通過推出定制化的自研芯片,驅動云計算服務的創新迭代。參考全球智能手機巨頭的發 展歷程,隨著產品同質化加劇,芯片區別的重要性日益突顯,成功的頭部手機廠商均擁有較強的芯片設計研發水平,如蘋果的 a系列芯片、三星的獵戶座芯片以及華為的麒麟系列芯片,驗證了掌握核心造芯技術對于終端廠商的重要性。
2、對于ic設計公司來說,自建晶圓廠、在成熟工藝節點掌握獨立代工權、將芯片設計和生產制造環節集于一體,將成為趨勢。
當前,缺乏代工權已經成為制約中國半導體設計公司發展的關鍵因素。①產能不足:設計公司晶圓制造是芯片產業鏈的重要環 節,在當前全球晶圓產能緊缺、終端消費需求復蘇的大背景之下,中國大陸芯片仍有較大供需缺口,晶圓代工廠產能無法匹配 設計公司不斷提升的技術水平。②利潤承壓:晶圓短缺導致代工廠漲價,增加ic設計公司成本。
預測八:智能座艙將成為電車智能化主戰場
電車智能化進程可分為智能座艙和智能駕駛兩條線。
1、智能座艙:經歷三段式發展,未來3-5年將成為電車智能化主戰場。
1.0階段(1980s-2011):以1986年第七代別克riviera標配9英寸觸摸屏為起點,歷史上第一輛搭載觸屏技術的汽車誕生, 開啟座艙智能化進程。2.0階段(2012-2021):特斯拉model s創新性地采用大尺寸車載顯示屏,取消絕大部分機械按鍵, 標志著智能座艙進入電子化時代。3.0階段(2022-2027):理想l9開創智能化交互模式,采用五塊大屏,即hud+安全駕駛 交互屏+中控屏+副駕屏+后艙娛樂屏,并且擁有6音區、3d tof傳感器及21個揚聲器等,實現三維交互,此后智能座艙發展 聚焦于人機交互的智能體驗。
2、智能駕駛:目前發展受限,時機尚未成熟,2025后有望突破約束得以發展。
短期內,智能駕駛無法成為智能電車發展重點的主要原因:①缺少芯片代工:雖然我國有先進制程的設計能力和封測能力, 但先進制程的生產制造水平落后,缺少掌握先進工藝的芯片代工廠,高性能芯片供給受約束。②缺少算法算力:盡管以地平 線、海思為代表的國產芯片廠商具備大算力優勢,但整體來看,仍難以滿足由傳感器數量提升帶來的爆發式增長的算力需求。 ③缺少法律法規:當前我國自動駕駛相關法律法規尚不完善,其商業化應用將面臨法律挑戰。
預測九:芯片去庫存繼續推進,周期拐點已至
在我們的半導體研究框架中,短期看庫存周期,中期看創新周期,長期看國產替代。
典型的庫存周期可分為四個階段:①主動去庫存(量價齊跌):晶圓廠產能供過于求,全行業芯片庫存達到高點,以手機和 家電為代表的下游需求緊縮,于是降價以去庫存,消費芯片呈現出量價齊跌狀態。②被動去庫存(量跌價平/升):隨需求復 蘇,庫存繼續減少,價格保持,隨后逐步漲至正常利潤線水平。③主動補庫存(量價齊升):需求增加的速度高于供給增長, 庫存持續下行,庫存去完后供需平衡,廠商擴大供給,進入補庫存階段,量價齊升,處于盈利最佳狀態。④被動補庫存(量 升價平/跌):需求相對平穩,而廠商為了應付未來可能的需求,繼續增加產量,存在供給慣性,導致供給側產能過剩。
預測十: 國產化5.0推進,建立中國半導體生態系統
通過梳理國內半導體行業國產替代的發展脈絡,可以分為五個階段,2023年國產化將從4.0向5.0推進:
1、國產化1.0(芯片設計):2019年以信創軟件(操作系統)和芯片設計(數字芯片、模擬芯片)幾大類為主
2019年5月,限制華為終端的上游芯片供應,目的是卡住芯片下游成品,直接刺激了對國產模擬芯片、國產射頻芯片、國產 存儲芯片、國產cmos芯片的傾斜采購,這是第一步。
2、國產化2.0 (晶圓制造):2020年以晶圓代工和周邊產業鏈,主要以中芯國際、封測鏈、設備鏈為主
2020年9月,限制海思設計的上游晶圓代工鏈,目的是卡住芯片中游代工。由于全球晶圓廠都嚴重依賴美國的半導體設備 (pvd、刻蝕機、離子注入機等),海思只能轉移到備胎代工鏈,直接帶動了中芯國際等國產晶圓廠和封測廠的加速發展。
3、國產化3.0(設備材料) :2021年以晶圓廠上游的半導體設備和材料鏈為主,比如前道核心設備和黃光區芯片材料
2020年12月,中芯國際進入實體名單,限制的是芯片上游半導體供應鏈,本質是卡住芯片上游設備。想要實現供應鏈安全, 必須做到對半導體設備和半導體材料的逐步突破,由于duv不受美國管轄,此階段的關鍵是針對刻蝕等美系技術的替代。
4、國產化4.0(設備零部件、eda/ip、材料上游) :2022年以零部件和eda為主,進入到國產鏈條的深水區,最底層的替代
2022年8月,美國發布芯片法案,對國內先進制程的發展進行封鎖。想要實現產業自主可控,必須進入國產鏈條的深水區,實 現從根技術到葉技術的全方位覆蓋。因此,底層的半導體設備逐漸實現1-10的放量,芯片材料逐漸實現0-1的突破,eda/ip登 陸資本市場,成為全新品類,最底層的設備零部件也將迎來歷史性發展。
5、國產化5.0(中國半導體生態系統):2023年以后,將以建立產業鏈各環節強供需聯系、打通內循環為主要替代目標
我國半導體產業全而不強,半導體產業鏈的幾乎每一個環節都有中國企業,但是整體處于落后位置。由于產業鏈上下游的中 國企業缺乏深度聯系,單個企業的進步很容易受美國制裁影響。因此,培育良好的產業生態,實現全自主制造,打通內循環, 依托國內的市場優勢,實現半導體產業鏈的不斷升級,將成為國內半導體行業國產化5.0的重要目標。
來源:未來智庫。(報告出品方/作者:浙商證券,陳杭、安子超)
預測一: 成熟工藝將成為國內晶圓廠擴產主力軍
trendforce集邦咨詢顯示,2021年晶圓代工廠中,成熟制程仍占據76%的市場份額。2022年全球晶圓代工廠年增產能約14%, 其中十二英寸新增產能當中約有65%為成熟制程(28nm及以上)。以全球視角來看,成熟工藝仍是主流:
1、全球視角:世界三大晶圓代工巨頭(臺積電、聯電、格芯),成熟工藝約占總產能的74%。
① 臺積電:成熟工藝約占產能的64%,占銷售額的34%。預計臺積電產能為120萬片/月(12英寸),16nm/7nm/5nm的 產能約為13.7/17.8/12.0萬片,先進制程產能約為43.5萬片/月,占比36%。到2025年其成熟和專業節點的產能將擴大50%。 ② 聯電:放棄先進制程,專注成熟工藝。聯電在2018年宣布不再投資12nm以下的先進制程,自此專注在成熟工藝擴大市 場。目前聯電產能為40萬片/月(12英寸),全部集中在成熟工藝。此外,公司于21年投入約36億美元擴大28nm芯片產能。 ③ 格芯:成熟工藝產能約占83%,退出10nm以下先進制程。格芯于2018年宣布退出10nm及以下的先進制程的研發,目前 擁有的先進制程為12nm。預計目前格芯產能約為20萬片/月(12英寸),擁有先進制程的紐約fab8約占17%。
2、目前國內晶圓廠擴產聚焦在成熟工藝,需求大、供給足、成本性價比高。
① 需求:成熟制程能覆蓋除智能手機以外的絕大多數應用場景,更是電動汽車、智能家電的芯片主力軍。 ② 供給:在光刻機方面,美國芯片法案對中國芯片制造的重點在剛需高端euv光刻機的先進制程,即14nm及以下的fab、 18nm的dram、128層的nand。而目前成熟制程應用的duv光刻機由日本、歐洲掌握,美國的影響力有限。 其他設備方面,北方華創、中微、盛美、拓荊、華海清科、芯源微、萬業、精測等國內半導體設備廠商的產品滿足成熟工藝 的標準,產品管線覆蓋除光刻機外的所有領域,產品性能得到持續驗證,半導體設備國產化率不斷提升。 ③ 成本/工藝:隨著先進制程不斷演進,制造工藝的研發和生產成本逐代上漲,高漲的技術難度和成本高筑進入壁壘。
預測二: 全球半導體產業政策進入密集區
中國在全球半導體產業中仍為“追趕者”姿態,根據sia,2021年半導體行業格局(按產值)為美國(46%)、韓國(21%)、 日本(9%)、歐洲(9%)、中國臺灣(8%)、中國大陸(7%)。隨著半導體行業走向成熟以及競爭環節產生劇變,全球半導 體產業政策也進入密集區,政策主要圍繞“強化自身供應鏈”和“加強研發力度”兩條主線:
1、美國(“芯片法案”,2022年8月):維持技術優勢,吸引全球芯片制造龍頭在美建廠
具體政策:未來五年向半導體行業提供約527億美元的資金支持,并為企業提供價值240億美元的投資稅抵免;提供約2000億 美元的科研經費支持。此外,美國加入“中國護欄”條款,禁止獲得聯邦資金的公司在中國大幅增產先進制程芯片。
2、歐洲(“芯片法案”,2022年2月):加緊先進技術突破,搶占全球市場份額。
具體政策:向半導體行業投入超過430億歐元公共和私有資金。其中,110億歐元將用于加強現有研究、開發和創新。從長期 目標來看,在2030年將歐洲半導體市場份額從2021年的9%提升至20%。
3、日本(“半導體援助法”,2022年3月):財政預算加碼,設備補助提升。
具體政策:只要申請企業提出的生產計劃符合“持續生產10年以上”、“供需緊繃時能增產應對”等條件,最高將可獲得設 備費用“半額”的補助金。此外,日本2021財年預算修正案顯示,約在半導體行業投入7740億日元(約合人民幣423億元)。
預測三: chiplet將成為跨越制程鴻溝的主線技術
chiplet將滿足特定功能的裸芯片通過die-to-die內部互聯技術,實現多個模塊芯片與底層基礎芯片的系統封裝,實現一種新形 勢的ip復用。chiplet不僅是延續后摩爾時代的關鍵,也是國內布局先進制程的解決方案之一,將成為未來行業發展的主線:
1、chiplet是延續后摩爾時代,解決產業發展難題的關鍵所在
chiplet可以大幅提高大型芯片的良率:在高性能計算、ai等方面的巨大運算需求,使得整個芯片晶體管數量暴漲,芯片的面 積也不斷增大,固有不良率帶來的損失增大。而chiplet可以切割成獨立小芯片,有效改善良率,降低不良率帶來的成本增長。
2、chiplet是國內突破技術封鎖,布局先進制程的重要方案
按性能分,芯片分為三種:
【能用】芯片:135-28nm,對應3g手機、家電、消費電子產業
【夠用】芯片:14-7nm含chiplet,對應4g手機、l2輔助駕駛、普通座艙
【好用】芯片:7-2nm的尖端工藝,對應5g手機、l5無人駕駛、高級座艙
預測四:fd-soi將為國內開啟先進制程大門提供可能
隨著5g通信、智能駕駛、人工智能等潮流興起,soi技術憑借高性能、低功效的優勢,帶動soi硅片需求量大幅增加。基于soi 材料的fd-soi是先進工藝(28nm以下)兩大技術路線之一,也是國內突破先進工藝的方案之一:
1、基于soi的兩大技術路線:rf-soi技術用于5g射頻芯片,fd-soi開啟28nm以下先進制程
rf-soi(射頻絕緣體上硅):相較于傳統的gaas和sos技術,不僅成本更低、集成度更高,還發揮了soi材料結構的優勢, 所實現的器件具有高品質、低損耗、低噪聲等射頻性能,主要用于制造智能手機和無線通信設備上的射頻前端芯片。 fd-soi:finfet和fd-soi是發展先進工藝(28nm以下)的兩大解決方案。finfet技術路線的先進工藝帶來了工藝復雜、 工序繁多、良率下降等問題,使得在28 nm以下制程的每門成本不降反升。fd-soi技術路線逐漸得到業界關注。 理論上,利用duv光刻機制造的fd-soi產品,可以達到與采用euv光刻機制造的finfet產品相當的性能。
2、材料:核心技術由法國soitec掌握,中國大陸加快追趕步伐
國外:300mm的soi硅片核心技術由法國soitec掌握,日本信越化學、sumco、中國臺灣環球晶圓等少數企業具備生產能力。 國內:滬硅產業旗下子公司獲得soitec技術授權,公司于2022年2月完成50億定增,其中20億元投入高端硅基材料研發。項 目完成后,滬硅產業將建立300mm高端硅基材料的供應能力,并完成40萬片/年的產能建設,加快在soi領域的追趕步伐。
預測五:risc-v將引領國產cpu ip突破指令集封鎖
risc-v開放的定位是國產芯片實現全產業鏈自主可控的必要基礎,條件約束和技術優勢兩方面因素決定了risc-v與中國半導 體產業雙向選擇。從技術架構、軟硬件生態到量產應用,我國risc-v產業正加速邁向成熟。隨著2023年正式步入高性能計算場 景,基于risc-v開發的cpu ip將成為2023年國產ip主線。
risc-v可以滿足國產cpu架構自主可控需求。不同于x86、arm等國外商業公司壟斷的私有指令集架構,risc-v最大的特 點是開放標準化,是cpu技術變革的一次絕佳機遇,能夠很好的調節軟件普適生態和cpu國產自主可控的雙重需求。riscv生態體系也因此正在全球范圍內快速崛起,成為半導體產業及物聯網、邊緣計算等新興應用領域的重要創新焦點。
risc-v全球化立場鮮明。2019年,risc-v基金會因為擔憂美國的貿易法規而搬到了瑞士,并更名為risc-v international, 進而該開源社區的代碼上傳下載可不受美國出口管制。目前risc-v基金會的22個主要成員中有12個來自中國,占比超過 50%。其中包括華為公司、阿里巴巴集團、中科院計算所等知名企事業單位。
預測六: 反全球化持續,中國半導體內循環開啟
2022年美國通過《美國芯片與科學法案》,其中針對半導體行業,計劃五年內投入527億美元的政府補貼。此外,加入“中國護 欄”條款,禁止獲得聯邦資金的公司在中國大幅增產先進制程芯片。這標志著半導體行業將由全球化大分工,轉向反全球化:
1、1990-2009:美國半導體內循環(一家獨大)
2010年之前,以amd、ibm、德州儀器、intel、鎂光為首的半導體巨頭以idm模式占據了全球領導地位,此時的美國基本上 是超級內循環模式,在全球科技版圖中占據主導地位。
2、2010-2017:全球半導體外循環(全球化蜜月期)
2010 年后,amd、ibm 相繼剝離晶圓廠獨立成格羅方德。美國在 fab 領域和 idm(cpu、dram)的競爭優勢逐步向亞洲轉移, 蘋果主導的全球大分工模式開始。
預測七:終端廠商及設計公司向產業鏈前端滲透
半導體產業鏈三種權利:設計權(決定創新和供給)+代工權(決定安全和產能)+設備權(決定產業鏈安全和工藝底層突破)。 我們認為,芯片產業全球化分工使設計與制造環節分離,存在供應鏈的地理分割,加劇了受外部因素影響而供需失衡的風險, 因此企業向產業鏈前端滲透、實現自主可控已是大勢所趨。
1、對于終端廠商來說,芯片領域將成為新的主戰場,著力于掌握芯片設計權甚至代工權是終端企業未來發展方向。
目前部分下游軟硬件公司逐步開啟芯片自研模式。①智能手機:小米、oppo、vivo等芯片研發主要聚焦于影像、藍牙、電池 管理等細分領域;②智能汽車:以特斯拉為先鋒,傳統車企以及造車新勢力如通用、比亞迪、蔚來等也先后進軍芯片自研;③ 互聯網:亞馬遜、微軟、谷歌、阿里等通過推出定制化的自研芯片,驅動云計算服務的創新迭代。參考全球智能手機巨頭的發 展歷程,隨著產品同質化加劇,芯片區別的重要性日益突顯,成功的頭部手機廠商均擁有較強的芯片設計研發水平,如蘋果的 a系列芯片、三星的獵戶座芯片以及華為的麒麟系列芯片,驗證了掌握核心造芯技術對于終端廠商的重要性。
2、對于ic設計公司來說,自建晶圓廠、在成熟工藝節點掌握獨立代工權、將芯片設計和生產制造環節集于一體,將成為趨勢。
當前,缺乏代工權已經成為制約中國半導體設計公司發展的關鍵因素。①產能不足:設計公司晶圓制造是芯片產業鏈的重要環 節,在當前全球晶圓產能緊缺、終端消費需求復蘇的大背景之下,中國大陸芯片仍有較大供需缺口,晶圓代工廠產能無法匹配 設計公司不斷提升的技術水平。②利潤承壓:晶圓短缺導致代工廠漲價,增加ic設計公司成本。
預測八:智能座艙將成為電車智能化主戰場
電車智能化進程可分為智能座艙和智能駕駛兩條線。
1、智能座艙:經歷三段式發展,未來3-5年將成為電車智能化主戰場。
1.0階段(1980s-2011):以1986年第七代別克riviera標配9英寸觸摸屏為起點,歷史上第一輛搭載觸屏技術的汽車誕生, 開啟座艙智能化進程。2.0階段(2012-2021):特斯拉model s創新性地采用大尺寸車載顯示屏,取消絕大部分機械按鍵, 標志著智能座艙進入電子化時代。3.0階段(2022-2027):理想l9開創智能化交互模式,采用五塊大屏,即hud+安全駕駛 交互屏+中控屏+副駕屏+后艙娛樂屏,并且擁有6音區、3d tof傳感器及21個揚聲器等,實現三維交互,此后智能座艙發展 聚焦于人機交互的智能體驗。
2、智能駕駛:目前發展受限,時機尚未成熟,2025后有望突破約束得以發展。
短期內,智能駕駛無法成為智能電車發展重點的主要原因:①缺少芯片代工:雖然我國有先進制程的設計能力和封測能力, 但先進制程的生產制造水平落后,缺少掌握先進工藝的芯片代工廠,高性能芯片供給受約束。②缺少算法算力:盡管以地平 線、海思為代表的國產芯片廠商具備大算力優勢,但整體來看,仍難以滿足由傳感器數量提升帶來的爆發式增長的算力需求。 ③缺少法律法規:當前我國自動駕駛相關法律法規尚不完善,其商業化應用將面臨法律挑戰。
預測九:芯片去庫存繼續推進,周期拐點已至
在我們的半導體研究框架中,短期看庫存周期,中期看創新周期,長期看國產替代。
典型的庫存周期可分為四個階段:①主動去庫存(量價齊跌):晶圓廠產能供過于求,全行業芯片庫存達到高點,以手機和 家電為代表的下游需求緊縮,于是降價以去庫存,消費芯片呈現出量價齊跌狀態。②被動去庫存(量跌價平/升):隨需求復 蘇,庫存繼續減少,價格保持,隨后逐步漲至正常利潤線水平。③主動補庫存(量價齊升):需求增加的速度高于供給增長, 庫存持續下行,庫存去完后供需平衡,廠商擴大供給,進入補庫存階段,量價齊升,處于盈利最佳狀態。④被動補庫存(量 升價平/跌):需求相對平穩,而廠商為了應付未來可能的需求,繼續增加產量,存在供給慣性,導致供給側產能過剩。
預測十: 國產化5.0推進,建立中國半導體生態系統
通過梳理國內半導體行業國產替代的發展脈絡,可以分為五個階段,2023年國產化將從4.0向5.0推進:
1、國產化1.0(芯片設計):2019年以信創軟件(操作系統)和芯片設計(數字芯片、模擬芯片)幾大類為主
2019年5月,限制華為終端的上游芯片供應,目的是卡住芯片下游成品,直接刺激了對國產模擬芯片、國產射頻芯片、國產 存儲芯片、國產cmos芯片的傾斜采購,這是第一步。
2、國產化2.0 (晶圓制造):2020年以晶圓代工和周邊產業鏈,主要以中芯國際、封測鏈、設備鏈為主
2020年9月,限制海思設計的上游晶圓代工鏈,目的是卡住芯片中游代工。由于全球晶圓廠都嚴重依賴美國的半導體設備 (pvd、刻蝕機、離子注入機等),海思只能轉移到備胎代工鏈,直接帶動了中芯國際等國產晶圓廠和封測廠的加速發展。
3、國產化3.0(設備材料) :2021年以晶圓廠上游的半導體設備和材料鏈為主,比如前道核心設備和黃光區芯片材料
2020年12月,中芯國際進入實體名單,限制的是芯片上游半導體供應鏈,本質是卡住芯片上游設備。想要實現供應鏈安全, 必須做到對半導體設備和半導體材料的逐步突破,由于duv不受美國管轄,此階段的關鍵是針對刻蝕等美系技術的替代。
4、國產化4.0(設備零部件、eda/ip、材料上游) :2022年以零部件和eda為主,進入到國產鏈條的深水區,最底層的替代
2022年8月,美國發布芯片法案,對國內先進制程的發展進行封鎖。想要實現產業自主可控,必須進入國產鏈條的深水區,實 現從根技術到葉技術的全方位覆蓋。因此,底層的半導體設備逐漸實現1-10的放量,芯片材料逐漸實現0-1的突破,eda/ip登 陸資本市場,成為全新品類,最底層的設備零部件也將迎來歷史性發展。
5、國產化5.0(中國半導體生態系統):2023年以后,將以建立產業鏈各環節強供需聯系、打通內循環為主要替代目標
我國半導體產業全而不強,半導體產業鏈的幾乎每一個環節都有中國企業,但是整體處于落后位置。由于產業鏈上下游的中 國企業缺乏深度聯系,單個企業的進步很容易受美國制裁影響。因此,培育良好的產業生態,實現全自主制造,打通內循環, 依托國內的市場優勢,實現半導體產業鏈的不斷升級,將成為國內半導體行業國產化5.0的重要目標。
來源:未來智庫。(報告出品方/作者:浙商證券,陳杭、安子超)
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