品牌：IR
類別：分離式半導體產品
家庭：FET - 單
系列：HEXFET®
FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：100V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C：10A
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：185 毫歐 @ 6A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）：2V @ 250μA
閘電荷(Qg) @ Vgs：20nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds：440pF @ 25V
功率 - 最大：48W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝：D-Pak
包裝：帶卷 (TR)
其它名稱：IRLR120NPBFTR
標準包裝：2,000
批號：2014+
封裝：TO-252
數量：29800
單價：面議
描述：國際整流器第五代HEXFETs利用先進的加工技術，實現了盡可能低的導通電阻每硅片面積。這益處
結合快速開關速度和堅固耐用的設備的設計，HEXFET功率MOSFET是眾所周知的，為設計者提供以在很寬的
一個非常有效的裝置，用于使用各種應用程序。在D- Pak是專為使用表面安裝氣相，紅外，或波焊工藝。直引
線型（ IRFU系列）是吞吐量孔安裝的應用程序。功耗水平達1.5瓦特是可能的典型的表面貼裝應用程序。
備注：深圳市勤思達科技有限公司主營IR系列，授權分銷，IR原廠直銷，品質保證，現貨庫存熱賣IRLR120
IRLR120NTRPBF，歡迎廣大客戶朋友咨詢洽談。
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