類別：分離式半導體產品
家庭：FET - 單
系列：HEXFET®
FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：100V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C：17A
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：105 毫歐 @ 10A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）：2V @ 250μA
閘電荷(Qg) @ Vgs：34nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds：800pF @ 25V
功率 - 最大：79W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝：D-Pak
包裝：帶卷 (TR)
其它名稱：IRLR3410PBFTR
標準包裝：2,000
批號：2014+
封裝：TO-252
數量：29800
單價：面議
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