品牌：INFINEON
描述：OptiMOS 2 Power-Transistor
數據列表：IPB06N03LA G
類別：分離式半導體產品
家庭：FET - 單
系列：OptiMOS™
FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：25V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C：50A
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：5.9 毫歐 @ 30A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）：2V @ 40μA
閘電荷(Qg) @ Vgs：22nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds：2653pF @ 15V
功率 - 最大：83W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝：PG-TO263-3
包裝：帶卷 (TR)
其它名稱：IPB06N03LAINTRSP0000162
標準包裝：1,000
數量：15600
單價：面議
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