深圳市星發電子商行
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二極管的晶體管的光電耦合器使用一個LED和一個集成的光電檢測器，以提供輸入和輸出之間的電絕緣之間的絕緣層。為光電二極管偏壓和輸出晶體管的集電極單獨的連接通過減小基極-集電極電容將速度提高到一百倍，一個常規的光電晶體管耦合器。
注意：這是正常的靜表示，將采取措施處理和組件匯編防止損壞和/或降解可能由ESD引起。
通過絕緣距離，導體導體，通常是光發射器和光電探測器的光電耦合器腔體內部之間的直接距離。
這些高速光電耦合器是專為那些需要輸入和輸出之間的高壓隔離模擬或數字接口的應用。應用包括需要高共模瞬變抗擾度線路接收器，并要求輸入到輸出的電氣隔離模擬或邏輯電路。
6N135，6N136和HCPL4502光耦合器各由一個發光二極管和一個光電二極管和一個集電極開路輸出晶體管組成的集成光子探測器。被提供給光電二極管的偏置和晶體管集電極輸出的單獨的連接。這個特性，從而降低了晶體管基極-集電極電容，導致速度達到百次，一個常規的光電晶體管光耦合器。
為光電二極管的偏置一個單獨的連接通過在常規的光電晶體管的光電耦合器的大小通過降低輸入晶體管的基極-集電極電容幾個數量提高了速度。
內部噪聲屏蔽提供了卓越的共模抑制10kV/μs的。一種改進的封裝允許優越的絕緣，允許一個480V的工作電壓則為220V行業標準
以下是注冊和未注冊商標飛兆半導體擁有或授權使用的，并且不打算成為所有這些商標的詳盡清單。
瞬時共模抑制電壓“輸出（0）”表示的共模電壓的變化，可以容納上述（0）電平（V<0.8v）的輸出。<>
HCPL-4502/HCPL-2503，6N135/6和HCPL-2530/HCPL-2531光耦合器組成的AlGaAsLED的光耦合到一個高速光檢測器晶體管。
為光電二極管的偏置一個單獨的連接通過在常規的光電晶體管的光電耦合器的大小通過降低輸入晶體管的基極-集電極電容幾個數量提高了速度。
內部噪聲屏蔽提供了卓越的共模抑制10kV/μs的。一種改進的封裝允許優越的絕緣，允許一個480V的工作電壓相比0F220五，行業標準
在邏輯高電平共模瞬態抗擾度是最大耐受（正）的dV厘米/dt對共模脈沖信號VCM，以確保輸出將保持在一個邏輯高狀態（即，V2.0％的領先優勢V）。在邏輯低電平共模瞬態抗擾度是最大耐受（負）的dV厘米/dt對共模脈沖信號，VCM的后緣，以確保輸出將保持在一個邏輯低狀態（即，V＆0.8V）。
為光電二極管的偏置一個單獨的連接通過在常規的光電晶體管的光電耦合器的大小通過降低輸入晶體管的基極-集電極電容幾個數量提高了速度。
內部噪聲屏蔽提供了卓越的共模抑制10kV/μs的。一種改進的封裝允許優越的絕緣，允許一個480V的工作電壓則為220V行業標準
以下是注冊和未注冊商標飛兆半導體擁有或授權使用的，并且不打算成為所有這些商標的詳盡清單。
6N135和6N136是光電耦合器與紅外發光二極管的GaAIAs，光學耦合與集成光檢測器，它包括一個光電二極管和一個DIP-8的塑料封裝的高速晶體管。
信號可以在兩個電分離電路到2.0兆赫的頻率之間進行傳輸。要被連接的電路之間的電勢差不超過允許的最大參考電壓。
設備的功能操作是不是在超過那些在本文件中的業務部門給予的這些或任何其他條件。暴露在的長時間絕對最大額定值可靠性產生不利影響。
注AMB=25°C，除非另有規定。最低和最高值的檢測要求。典型值是設備的特點及工程評價的結果。典型值僅供參考，并不測試要求的一部分。
它特別關注的控制或消除這些物質的排放被稱為消耗臭氧層物質（消耗臭氧層物質）的氣氛。
蒙特利爾議定書（1987）及其倫敦修正案（1990）打算嚴格限制使用消耗臭氧層物質，并在未來十年內禁止其使用??。各種國家和國際行動正加緊對這些物質的早期禁令。
參數可以改變不同的應用。所有操作參數都必須為每個客戶應用的客戶進行驗證。如買方使用威世半導體產品的任何意外或未經授權的應用程序，買方應賠償威世半導體一切索賠，費用，損失，費用，所產生的直接或間接與相關聯的個人損害，傷害或死亡索賠意外或未經授權的使用。
使用或銷售這些產品在此類應用中使用的客戶這樣做在自己的風險，并同意完全賠償VISHAY的這些不當使用或銷售造成的損失。
6N135和6N136是光電耦合器與紅外發光二極管的GaAIAs，光學耦合與集成光檢測器，它包括一個光電二極管和一個DIP-8的塑料封裝的高速晶體管。
信號可以在兩個電分離電路到2.0兆赫的頻率之間進行傳輸。要被連接的電路之間的電勢差不超過允許的最大參考電壓。
設備的功能操作是不是在超過那些在本文件中的業務部門給予的這些或任何其他條件。暴露在的長時間絕對最大額定值可靠性產生不利影響。
注AMB=25°C，除非另有規定。最低和最高值的檢測要求。典型值是設備的特點及工程評價的結果。典型值僅供參考，并不測試要求的一部分。
它特別關注的控制或消除這些物質的排放被稱為消耗臭氧層物質（消耗臭氧層物質）的氣氛。
蒙特利爾議定書（1987）及其倫敦修正案（1990）打算嚴格限制使用消耗臭氧層物質，并在未來十年內禁止其使用??。各種國家和國際行動正加緊對這些物質的早期禁令。
參數可以改變不同的應用。所有操作參數都必須為每個客戶應用的客戶進行驗證。如買方使用威世半導體產品的任何意外或未經授權的應用程序，買方應賠償威世半導體一切索賠，費用，損失，費用，所產生的直接或間接與相關聯的個人損害，傷害或死亡索賠意外或未經授權的使用。
使用或銷售這些產品在此類應用中使用的客戶這樣做在自己的風險，并同意完全賠償Vishay的這些不當使用或銷售造成的損失。
HCPL-4502/HCPL-2503，6N135/6和HCPL-2530/HCPL-2531光耦合器組成的AlGaAsLED的光耦合到一個高速光檢測器晶體管。
為光電二極管的偏置一個單獨的連接通過在常規的光電晶體管的光電耦合器的大小通過降低輸入晶體管的基極-集電極電容幾個數量提高了速度。
內部噪聲屏蔽提供了卓越的共模抑制10kV/μs的。一種改進的封裝允許優越的絕緣，允許一個480V的工作電壓則為220V行業標準
以下是注冊和未注冊商標飛兆半導體擁有或授權使用的，并且不打算成為所有這些商標的詳盡清單。
為光電二極管的偏置一個單獨的連接通過在常規的光電晶體管的光電耦合器的大小通過降低輸入晶體管的基極-集電極電容幾個數量提高了速度。
內部噪聲屏蔽提供了卓越的共模抑制10kV/μs的。一種改進的封裝允許優越的絕緣，允許一個480V的工作電壓則為220V行業標準
以下是注冊和未注冊商標飛兆半導體擁有或授權使用的，并且不打算成為所有這些商標的詳盡清單。
6N135，6N136，EL4502和EL4503每個器件包括一個紅外發光二極管，光耦合到一個高速光檢測器晶體管。為光電二極管偏壓和輸出晶體管的集電極一個單獨的連接增加的速度超過常規光敏晶體管耦合幾個數量級通過降低輸入晶體管的基極-集電極電容。
<0.8v）的輸出。<>
