產品種類: 模數轉換器 - ADC
RoHS: 符合RoHS 詳細信息
分辨率: 12 bit
采樣比: 1 MS/s
通道數量: 4 Channel
輸入類型: Single-Ended
接口類型: Serial, SPI
結構: SAR
參考類型: External
商標: Texas Instruments
模擬電源電壓: 2.7 V to 5.25 V
數字電源電壓: 1.7 V to 5.25 V
SNR – 信噪比: 70 dB
最大工作溫度: + 125 C
ADS7950SBRGER最小工作溫度: - 40 C
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: VQFN-24
INL - 積分非線性: 0.024 %
封裝: Reel
產品: Analog to Digital Converters
系列: ADS7950
工廠包裝數量: 3000
數據列表 ADS795x, ADS796x
產品相片 RGE-24-VQFN Pkg
產品培訓模塊 Data Converter Basics
特色產品 ADS79XX
PCN 設計/規格 Copper Bond Wire Revision A 04/Dec/2013
制造商產品頁 ADS7950SBRGER Specifications
標準包裝 ? 3,000
類別 集成電路（IC）
ADS7950SBRGER家庭 數據采集 - 模數轉換器
系列 microPOWER™
包裝 ? 帶卷（TR） ?
位數 12
采樣率（每秒） 1M
輸入數 4
輸入類型 單端
數據接口 SPI
配置 MUX-S/H-ADC
無線電 - S/H:ADC 1：1
A/D 轉換器數 1
架構 SAR
參考類型 外部
電壓 - 電源，模擬 2.7 V ~ 5.25 V
電壓 - 電源，數字 1.7 V ~ 5.25 V
特性 -
工作溫度 -40°C ~ 125°C
ADS7950SBRGER封裝/外殼 24-VFQFN 裸露焊盤
供應商器件封裝 24-VQFN（4x4）計算機房和數據中心居高不下的用電成本讓能效成為許多IT管理高層首要關注的問題。用碳化硅器件代替普通硅開關，有助于提高大功率電源的能源利用率(PUE，Power Usage Effectiveness)，PUE是衡量數據中心能效的指標。根據電腦產業拯救氣候行動組織(CSCI， Climate Savers Computing Initiative)預測，到2015年，高能效網絡系統設備可節省能源開支50億美元，減少二氧化碳排放量3800萬噸。
碳化硅MOSFET晶體管還能用于太陽能逆變電源，代替傳統的高壓硅IGBT(絕緣柵雙極晶體管)，將太陽電池的直流電轉變成交流電并入電網，無需任何特殊的驅動電路。此外，因為工作頻率高于IGBT，碳化硅MOSFET可縮減電源設備的其它元器件的尺寸，從而降低電源成本，提高能效。
在電動汽車領域，碳化硅器件有望大幅提高能效，降低汽車動力系統的尺寸。作為美國能源部與汽車工業的合作組織，美國汽車動力系統電氣電子技術研發小組呼吁，到2020年，將汽車動力系統能耗降低大約二分之一，同時降低尺寸至少20%。該小組的開發路線圖計劃將寬帶隙半導體材料即碳化硅技術列為提高功率轉換效率的重點技術，并使該項技術能夠在更高的工作溫度下更安全可靠地工作。與普通硅器件和競爭對手的碳化硅MOSFET相比，意法半導體的碳化硅器件耐溫性能更高(200°C)，從而有助于簡化汽車冷卻系統的設計。
意法半導體的新產品1200V碳化硅功率MOSFETSCT30N120的樣片已經上市，計劃于2014年6月投入量產。新產品采用意法半導體獨有的HiP247封裝，該封裝外形尺寸與工業標準封裝相同，尤其針對耐高溫性能進行了優化設計。
ADS7950SBRGER的主要產品特性:
· 通態電阻(RDS(ON)):
o 在25°C時，典型值為80mΩ
o 最高溫度至200°C的整個工作溫度范圍內，典型值≤100mΩ
· 低關斷能量和柵電荷(確保高能效和高速開關操作)
· 泄漏電流典型值低于10μA(比相同材料的其它器件提升系統能效和可靠性)
· 快速且穩健的基板原生二極管(節省外部續流二極管，降低成本和尺寸)
· 簡化柵驅動電路(降低網絡驅動成本)
· 最高工作溫度高達200°C(縮減印刷電路板尺寸，簡化熱管理系統設計)
