產品種類: 模數轉換器 - ADC
RoHS: 符合RoHS 詳細信息
分辨率: 14 bit
采樣比: 1 MS/s
通道數量: 1 Channel
輸入類型: Single-Ended
接口類型: Serial, SPI
結構: SAR
參考類型: External
商標: Texas Instruments
模擬電源電壓: 2.7 V to 5.5 V
數字電源電壓: 1.65 V to 5.5V
SNR – 信噪比: 85.9 dB
最大工作溫度: + 85 C
ADS7279最小工作溫度: - 40 C
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TSSOP-16
DNL - 微分非線性: +/- 1 LSB
INL - 積分非線性: +/- 1 LSB
轉換器數量: 1 Converter
封裝: Reel
Pd-功率耗散: 38.6 mW
產品: Analog to Digital Converters
系列: ADS7279
工廠包裝數量: 2000
單位重量: 62 mg
數據列表 ADS7279,80
產品相片 16-TSSOP
產品培訓模塊 Data Converter Basics
制造商產品頁 ADS7279IPWR Specifications
標準包裝 ? 2,000
類別 集成電路（IC）
家庭 數據采集 - 模數轉換器
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
位數 14
采樣率（每秒） 1M
輸入數 1
輸入類型 個偽差分，單端
數據接口 SPI， DSP
配置 S/H-ADC
無線電 - S/H:ADC 1：1
A/D 轉換器數 1
架構 SAR
參考類型 外部
電壓 - 電源，模擬 5V
電壓 - 電源，數字 1.65 V ~ 5.5 V
特性 -
工作溫度 -40°C ~ 85°C
封裝/外殼 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
供應商器件封裝 16-TSSOP數據列表 ADS7279,80
產品相片 16-TSSOP
產品培訓模塊 Data Converter Basics
制造商產品頁 ADS7279IPWR Specifications
標準包裝 ? 2,000
類別 集成電路（IC）
家庭 數據采集 - 模數轉換器
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
位數 14
ADS7279采樣率（每秒） 1M
輸入數 1
輸入類型 個偽差分，單端
數據接口 SPI， DSP
配置 S/H-ADC
無線電 - S/H:ADC 1：1
A/D 轉換器數 1
架構 SAR
參考類型 外部
電壓 - 電源，模擬 5V
電壓 - 電源，數字 1.65 V ~ 5.5 V
特性 -
工作溫度 -40°C ~ 85°C
封裝/外殼 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
供應商器件封裝 16-TSSOP數據列表 ADS7279,80
產品相片 16-TSSOP
產品培訓模塊 Data Converter Basics
制造商產品頁 ADS7279IPWR Specifications
標準包裝 ? 2,000
類別 集成電路（IC）
家庭 數據采集 - 模數轉換器
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
位數 14
采樣率（每秒） 1M
輸入數 1
輸入類型 個偽差分，單端
數據接口 SPI， DSP
配置 S/H-ADC
無線電 - S/H:ADC 1：1
A/D 轉換器數 1
架構 SAR
參考類型 外部
電壓 - 電源，模擬 5V
電壓 - 電源，數字 1.65 V ~ 5.5 V
特性 -
工作溫度 -40°C ~ 85°C
封裝/外殼 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
供應商器件封裝 16-TSSOP 意法半導體的新HB系列絕緣柵雙極晶體管擁有比競爭對手的高頻產品低達40%的關機能耗，同時可降低達30%的導通損耗。
HB系列利用意法半導體的溝柵式場截止型高速晶體管制造工藝，集電極關斷尾電流極低，飽和電壓(Vce(sat))為1.6V (典型值)，從而最大限度降低了開關和導通時的能耗。此外，這項技術具有良好的可控性，參數分布窗口十分緊密，從而可提高設計再用性，簡化系統設計。
意法半導體的HB系列IGBT 可提升目標應用的能效，例如太陽能逆變器、電磁爐、電焊機、不間斷電源、功率因數校正器和高頻功率轉換器。650V的寬額定工作電壓確保環境溫度在-40°C時擊穿電壓至少600V，使其特別適用于高寒地區的太陽能逆變器。175°C的最大工作結溫和寬安全工作區(SOA)提高了產品的可靠性，準許目標應用使用更小的散熱器。
可選參數包括30A到80A(在100°C時)的最大額定電流、多種主流的功率封裝和為諧振或硬開關電路優化的內置二極管的封裝。
意法半導體的新HB系列絕緣柵雙極晶體管擁有比競爭對手的高頻產品低達40%的關機能耗，同時可降低達30%的導通損耗。
HB系列利用意法半導體的溝柵式場截止型高速晶體管制造工藝，集電極關斷尾電流極低，飽和電壓(Vce(sat))為1.6V (典型值)，從而最大限度降低了開關和導通時的能耗。此外，這項技術具有良好的可控性，參數分布窗口十分緊密，從而可提高設計再用性，簡化系統設計。
意法半導體的HB系列IGBT 可提升目標應用的能效，例如太陽能逆變器、電磁爐、電焊機、不間斷電源、功率因數校正器和高頻功率轉換器。650V的寬額定工作電壓確保環境溫度在-40°C時擊穿電壓至少600V，使其特別適用于高寒地區的太陽能逆變器。175°C的最大工作結溫和寬安全工作區(SOA)提高了產品的可靠性，準許目標應用使用更小的散熱器。
可選參數包括30A到80A(在100°C時)的最大額定電流、多種主流的功率封裝和為諧振或硬開關電路優化的內置二極管的封裝。
