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在整流橋的每個工作周期內,同一時間只有兩個二極管MAX1711EEG-T進行工作,通過二極管的單向導通功能,把交流電轉換成單向的直流脈動電壓。對一般常用的小功率整流橋(如:RECTRON SEMICONDUCTOR的RS2501M)進行解剖會發現,其內部的結構如圖2所示,該全波整流橋采用塑料封裝結構(大多數的小功率整流橋都是采用該封裝形式)。橋內的四個主要發熱元器件——二極管被分成兩組分別放置在MB6S MB8S MB10S直流輸出的MAX1711EEG-T引腳銅板上。在直流輸出引腳銅板間有兩塊連接銅板,他們分別與輸入引腳(交流輸入導線)相連,形成我們在外觀上看見的有四個對外連接引腳的全波整流橋。由于該系列整流橋都是采用塑料封裝結構,在上述的二極管、引腳銅板、連接銅板以及連接導線的周圍充滿了作為絕緣、導熱的骨架填充物質——環氧樹脂。然而,環氧樹脂的導熱系數是比較低的(一般為0.35℃W/m,最高為2.5℃W/m),因此整流橋的結--殼熱阻一般都比較大(通常為1.0~10℃/W)。通常情況下,在元器件的相關參數表里,生產廠家都會提供該器件在自然冷卻情況下的結—環境的熱阻(Rja)和當元器件自帶一散熱器,通過散熱器進行器件冷卻的結--殼熱阻(Rjc)。
自然冷卻 一般而言,對于損耗比較小(<3.0W)的元器件都可以采用MAX1711EEG-T自然冷卻的方式來解決元器件的散熱問題。當整流橋的損耗不大時,可采用自然冷卻方式來處理。此時,整流橋的散熱途徑主要有以下兩個方面:整流橋的殼體(包括前后兩個比較大的散熱面和上下與左右散熱面)和整流橋的四個引腳。通常情況下,整流橋的上下和左右的殼體表面積相對于前后面積都比較小,因此在分析時都不考慮通過這四個面(上下與左右表面)的散熱。
在這兩個主要的散熱途徑中,由于自然冷卻散熱的換熱系數一般都比較小(<10W/ m2C),并且整流橋前后散熱面的絕對面積也比較小,因此實際上通過該途徑的散熱量也是十分有限的;由于引腳銅板是直接與發熱元器件(二級管)相連接的,并且其材料為銅,導熱性能很好,所以在自然冷卻散熱的情況下,整流橋的大部分損耗是通過該引腳把熱量傳遞給PCB板,然后由PCB板擴充其換熱面積而散發到周圍的環境中去。具體的分析計算如下:
1、 整流橋表面熱阻如圖2所示,可以得到整流橋的正向散熱面距熱源的距離為1.7mm,背向散熱面距熱源的距離為0.9mm;由于整流橋的上下及左右外表面積很小,因此忽約其熱量在這四個表面的散發,可以得到整流橋正面和背面的傳熱熱阻為:一個二極管的熱阻為:
由于在同一時間,整流橋內的四個二極管只有兩個在同時進MB6S MB8S MB10S行工作,因此整流橋正面與背面的傳熱熱阻應分別為兩個二極管熱阻的并聯,即:
由于整流橋表面到周圍空氣間的散熱為自然對流換熱,則整流橋MAX1711EEG-T殼體表面的自然冷卻熱阻為:
由上所述,可以得到整流橋通過殼體表面(正面和背面)的結溫與環境的熱阻分別為:
則整流橋通過殼體表面途徑對環境進行傳熱的總熱阻為: