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光電晶體管和普通晶體管類似，也有電流放大作1DI300Z-140用。只是它的集電極電流不只是受基極電路的電流控制，也可以受光的控制。 　　· 光電晶體管的外形，有光窗、集電極引出線、發射極引出線和基極引出線（有的沒有）。 　　· 制作材料一般為半導體硅，管型為NPN型， 　　· 國產器件稱為3DU系列。 　　· 光電晶體管的靈敏度比光電二極管高，輸出電流也比光電二極管大，多為毫安級。 　　· 但它的光電特性不如光電二極管好，在較強的光照下，光電流與照度不成線性關系。 　　· 所以光電晶體管多用來作光電開關元件或光電邏輯元件。 　　· 正常運用時，集電極加正電壓。因此，集電結為反偏置，發射結為正偏置，集電結為光電結。 　　· 當光照到集電結上時，集電結即產生光電流Ip向基區注入，同時在集電極電路即產生了一個被放大的電流Ic（＝Ie＝（1＋β）Ip）β為電流放大倍數。 　　因此，光電晶體管的電流放大作用與普通晶體管在上偏流電路中接一個光電二極管的作用是完全相同的。 　　· 　　光電三極管工作原理 　　光電三極管是在光電二極管的基礎上發展起來的光1DI300Z-140電器件，它本身具有放大功能。常見的光電三極管外形如圖l所示，文字符號表示為VT或V。 　　目前的光電三極管是采用硅材料制作而成的。這是由于硅元件較鍺元件有小得多的暗電流和較小的溫度系數。硅光電三極管是用N型硅單晶做成N—P—N結構的。管芯基區面積做得較大，發射區面積卻做得較小，入射光線主要被基區吸收。與光電二極管一樣，入射光在基區中激發出電子與空穴。在基區漂移場的作用下，電子被拉向集電區，而空穴被積聚在靠近發射區的一邊。由于空穴的積累而引起發射區勢壘的降低，其結果相當于在發射區兩端加上一個正向電壓，從而引起了倍率為β+1(晶體三極管，是半導體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。三極管是在一塊半導體基片上制作兩個相距很近的PN結，兩個PN結把正塊半導體分成三部分，中間部分是基區，兩側部分是發射區和集電區，排列方式有PNP和NPN兩種，如圖從三個區引出相應的電極，分別為基極b發射極e和集電極c。 　　發射區和基區之間的PN結叫發射結，集電區和基區之間的PN結叫集電極。基區很薄，而發射區較厚，雜質濃度大，PNP型三極管發射區"發射"的是空穴，其移動方向與電流方向一致，故發射極箭頭向里；NPN型三極管發射區"發射"的是自由電子，其移動方向與電流方向相1DI300Z-140反，故發射極箭頭向外。發射極箭頭向外。發射極箭頭指向也是PN結在正向電壓下的導通方向。硅晶體三極管和鍺晶體三極管都有PNP型和NPN型兩種類型。半導體就像一個開關，可以通過導通與截止來控制電路。