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p-Si（多晶硅，包括微晶）光電池沒1MBI400L-120有光致衰退效應，材料質量有所下降時也不會導致光電池受影響，是國際上正掀起的前沿性研究熱點。在單晶硅襯底上用液相外延制備的p-Si光電池轉 換效率為15.3%，經減薄襯底，加強陷光等加工，可提高到23.7%，用CVD法制備的轉換效率約為 12.6-17.3%。采用廉價襯底的p-Si薄膜生長方法有PECVD和熱絲法，或對a-Si：H材料膜進行后退火，達到低溫固相晶化，可分別制出效率9.8%和9.2%的無退化電池。微晶硅薄膜生長與a-Si工藝相容，光電性能和穩定性很高，研究受到很大重視，但效率僅為7.7%。大面積低溫p-Si膜與-Si組成疊層電池結構，是提高a-S光電池穩定性和轉換效率的重要途徑，可更充分利用太陽光譜，理論計算表明其效率可在28%以上，將使硅基薄膜光電池性能產生突破性進展。銅銦硒光電池 　　CIS（銅銦硒）薄膜光電池已成為國際光伏界研究開發的熱門課題，它具有轉換效率高（已達到17.7%），性能穩定，制造成本低的特點。CIS光電池一般是在玻璃或其它廉價襯底上分別沉積多層膜而構成的，厚度可做到2?3μm，吸收層CIS膜對電池性能起著決定性作用。現已開發出反應共蒸法和硒化法（濺射、蒸發、電沉積等）兩大類多種制備方法，其它外層通常采用真空蒸發或 濺射成膜。阻礙其發展的原因是工藝重復性差，高效電池成品率低，材料組分較復雜，缺乏控制薄膜生長的分析儀器。CIS光電池正受到產業界重視，一些知名公司意識到它在未來能源市場中的前景和所處地位，積極擴大開發規模，著手組建中試線及制造廠。 編輯本段碲化鎘光電池　　CdTe（碲化鎘）也很適合制作薄膜光電1MBI400L-120池，其理論轉換效率達30%，是非常理想的光伏材料。可采用升華法、電沉積、噴涂、絲網印刷等10種較簡便的加工技術，在低襯底溫度下制造出效率12%以上的CdTe光電池，小面積CdTe光電池的國際先進水平光電轉換率為15.8%，一些公司正深入研究與產業化中試，優化薄膜制備工藝，提高組件穩定性，防范Cd對環境污染和操作者的健康危害。 編輯本段砷化鎵光電池　　GaAs（砷化鎵）光電池大多采用液相外延法或MOCVD技術制備。用GaAs作襯底的光電池效率高 達29.5%（一般在19.5%左右），產品耐高溫和輻射，但生產成本高，產量受限，目前主要作空間電源用。以硅片作襯底，用MOCVD技術異質外延方法制造GaAs電池是降低成本很有希望的方法。 編輯本段其它材料光電池　　InP（磷化銦）光電池的抗輻射1MBI400L-120性能特別好，效率達17%到19%，多用于空間方面。采用SiGe單晶襯底，研制出在AM0條件下效率大于20%的GaAs/Si異質結外延光電池，最高效率23.3%。Si/ Ge/GaAs結構的異質外延光電池在不斷開發中，控制各層厚度，適當變化結構，可使太陽光中各 種波長的光子能量都得到有效利用，GaAs基多層結構光電池效率已接近40%。