描述：

這HEXFET®功率MOSFET利用最新的加工技術，以實現極低導通電阻每硅片面積。另外這種設計的特點是一個175 ℃的結工作溫度，快速開關速度和改進型重復雪崩額定值。這些特點相結合，使這個設計非常高效，可靠的裝置用于在一個寬的使用各種應用程序。

特點：

先進的工藝技術

超低導通電阻

175 ° C工作溫度

快速開關

重復性雪崩中允許多達TJMAX

多種封裝選擇

LEAD -FREE

“中國半導體企業未來10年內有望實現全球領先，前提是它們必須填補一些技術缺口和其他挑戰。”麥肯錫亞太區半導體咨詢業務負責人、全球合伙人唐睿思在6月3日麥肯錫半導體行情媒體交流會上如是說。

近年來，中國半導體行業步入高速發展軌道。麥肯錫研究顯示，2015年中國半導體消費繼續“跑贏”全球市場，消費增長9%，達到1500億美元，相當于全球占比43%。

2014年6月國務院出臺的《國家集成電路產業發展推進綱要》、2015年5月公布的《中國制造2025》規劃等，對集成電路產業提出了具體目標。其中一項內容是，到2030年形成一批在全球半導體市場內領先的一線企業。

唐睿思認為，中國半導體企業“走出去”勢在必行，因為國內移動設備市場正在降溫，且中國設備制造商已在本土市場取得主導地位。

全球領導力對中國企業的重要性還基于規模和經驗所產生的效率。唐睿思指出，各類行業細分中排名第一、二位的半導體企業，幾乎賺取了行業100%的總經濟利潤，而未能躋身領軍行列的企業幾乎都在虧損。

麥肯錫提供的數據顯示，目前中國已有數十億美元正在投入到半導體行業中，用于扶持本土供應商和支持企業海外收購。不過，盡管2012年到2016年初期間一系列中資企業完成了境外并購交易，但目前中國半導體交易僅占全球已達成交易的5%到10%。

但唐睿思指出，未來10年中國半導體企業將會有更大發展，有望實現全球領先。實現這一愿景，唐睿思認為中國企業需要從四個方面進行轉變。

一是更加重視人才的作用，吸引研究、產品研發、運營和業務管理方面最杰出的全球人才。二是要靠技術取勝，進行技術上的創新，采取技術領軍者思維模式，投資并側重于能引起持續性差異化的專有技術突破。三是要精于架構和執行與全球領軍者的合作關系。四是應鼓勵愿意進行較長期投資和跨業務周期投資的耐心型金融資本。

唐睿思特別指出，投資沒耐心是制約中國半導體發展的重要因素。“很多投資人或企業想要三兩年就獲得回報，這很難實現。半導體行業投資成功可能需要等待十年甚至更長時間。”

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