CL1226原邊控制高精度恒流控制器,集成了多種保護功能。原邊反饋拓撲結構可簡化控制器電路設計,特別在LED驅動應中。
采用CL1226的系統應用具有更輕的質量,更小的體積和更低的成本。CL1226工作在電感電流斷續模式,適用于80Vac-265Vac輸入電壓、功率10W以內的隔離LED恒流電源。芯片最大限度的減少了系統元件數目并采用DIP-8封裝,這些使得CL1226能夠減小系統所占空間。
CL1226具有高精度電流采樣電路,使得輸出電流精度達到±3%以內。同時,CL1226具有LED開路/短路保護,過流保護,欠壓保護等。
CL1226是一款性能優異的原邊反饋控制器,集成了多種保護功能。CL1226工作在電感電流斷續模式,適用于85Vac-265Vac輸入電壓,功率10W以內的隔離LED恒流電源。芯片最大限度的減少了系統元件數目并采用DIP-8封裝,這些使得CL1226能夠減小系統所占空間。CL1226具有高精度電流采樣電路,使得輸出電流精度達到±3%以內。同時,CL1226具有LED開路/短路保護,過流保護,欠壓保護等。CL1226原邊反饋拓撲結構可簡化控制器電路設計,特別在LED驅動應用中。采用CL1226的系統應用具有更輕的質量,更小的體積和更低的成本。
CL1226特性:
1.±3%LED輸出電流精度;
2.原邊反饋橫流控制;
3.無輔助檢測/供電繞組;
4.超低工作電流:250毫安(典型值);
5.寬輸入電壓:85Vac-265Vac;
6.內部集成650V功率管;
7.LED短路/開路保護;
8.原邊過流保護;
9.欠壓保護;
10.過溫保護。
CL1226應用范圍:
1.GU10 LED射燈
2.LED 球泡燈
3.其他LED照明.
美國麻省理工學院(MIT)日前開發出比目前市面上光達(LiDAR)更輕薄與低成本的光達系統,而且由于不采用運動機件將更為耐用,其非機械式光束操控速度更比目前機械光達系統快上1,000倍。另外,其優點之一是可利用現有CMOS設備量產。
據IEEESpectrum報導,光達是利用雷射光進行感測的技術,雖類似雷達但卻可獲得更高解析度,因為光線波長比無線電波長小10萬倍。光達系統借由測量在3D空間內的每一個畫素離發光元件的距離以及畫素方向來形成全3D世界模型。
光達系統基本操作方式是傳輸光束并測量光反射某物體后的訊號,反射訊號回到光達模組的時間,可用來直接測量與物體的距離。另外,分析反射訊號也可獲得諸如物體速度或材料成分等其他資訊,最后借由操控傳輸光來測量環境中不同的點而形成全3D模型。
包括自駕車采用的多數光達系統都是采用雷射、鏡頭與外部接受器等獨立自由空間光學元件,但其機械化設計不僅限制光達系統掃描率也會增加尺寸與復雜度,加上市售高階光達系統價格介于1,000~7萬美元之間,因此在成本必須最小的應用上便受到限制。
因此MIT光子微系統研究群(PhotonicMicrosystemsGroup)便利用機械化光達系統,并整合至微芯片上,以便能在CMOS廠內量產。
該校設計的元件比目前光達系統更小、輕盈與便宜,而且不采運動機件設計而更加堅固耐用,其非機械光束操控更比目前機械光達系統速度快1,000倍,可望加快影像掃描率,因此適合準確追蹤小型高速物體,對于高速無人飛行載具閃躲障礙物相當重要。
該校研發的光達芯片是先開發300mm矽光子(SiliconPhotonics)技術,該技術是指利用橫切面僅幾百納米的矽波導(Waveguide)來形成光的線條,之后再將波導整合至芯片上的光子電路。
研究人員認為,矽光子也可利用現有CMOS晶圓技術來達到低成本量產,過去10年來,許多CMOS晶圓廠也開發出專屬矽光子制程并可生產復雜光子系統。
美國國防高等研究計劃署(DARPA)過去由于對微縮與整合與矽光子學及電子有興趣,因此在2011年成立電子光子異質整合(Electronic-PhotonicHeterogeneousIntegration)計劃,并陸續推出大型光學相控陣列(OpticalPhasedArray)以及擁有廣角可操控光束的陣列。
由于電子相控陣列已被使用在非機械無線電光束操控,因此,光學相控陣列也可能成為小型、低成本固態光達理想解決方案。
至于MIT設計的元件則包括0.5x6mm矽光子芯片、可操控傳輸與接收相控陣列以及鍺光偵測器組成。
該元件的熱移相器可直接讓波導加熱來讓雷射傳送,而矽折射率則可依溫度而定,改變穿越的光的速度與相,當雷射穿越波導之后會碰到矽上被視為天線的凹槽(Notch),再將讓光散射進入自由空間。
由于受限于天線之間的間距,目前光束操控范圍約51度,該校技術雖可支援到100度操控,但若要再縮小間距必須先確定保留光的矽波導最小能縮小到多小。不過,目前則可利用在車上采用多個光達感測器取得360度影像加以克服。
該校的光達偵測方式是采連續方法,而非采用系統只能反應元件傳輸光的時差測距(time-of-flight)方式,因此可降低陽光的干擾,同時可采用適度的光偵測器,取代昂貴且不易整合至光電子平臺的雪崩式光偵測器或光電倍增管。
研究人員也指出,在芯片中采用諸如氮化矽(SiliconNitride)等材料也可將功率輸出大幅增加,采用大型相控陣列也可減少光束繞射。至于目前挑戰則包括如何讓矽波導與天線統一與精準制造,但預計隨著微影技術提升制造能力也可獲得改善。
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