OCP8150是一款高精度離線式LED恒流驅動芯片,可應用于輸出功率30W以內的LED恒流驅動電源,支持全電壓輸入AC 85V~264V。
芯片采用較小體積的SOT23-5封裝,采用原邊反饋技術,無需TL431、光耦和反饋電路便能實現很好的線電壓調整率和負載調整率,極大的節約了系統成本和尺寸空間。
OCP8150具備完善的保護功能,其利用VDD腳進行過壓檢測,一旦檢測到過壓信號芯片便進入打嗝工作狀態;芯片利用FB管腳實現了短路檢測,一旦發現短路信號芯片便會進入較低的工作頻率以限制輸出功率;同時芯片還具備欠壓鎖定和過溫保護功能以保證整個系統在惡劣的工作環境中安全可靠的工作。
特點:
·采用原邊反饋技術,無需次級反饋電路
·±3%的恒流精度
·高達30W的輸出驅動能力
·支持AC 85V~264V全電壓輸入
·LED開路保護和短路保護
·芯片過溫保護
·欠壓鎖定功能
·CS腳電阻開路保護
應用:
·LED日光燈
·GU10、E27、Par燈、筒燈、球泡燈
·其他LED照明
這幾年國產芯片替代概念推動了國內半導體公司的加速發展。除了處理器芯片外,存儲器的發展也得包括政府、市場資本、行業巨頭廠商的高度關注。不過,受制于技術等原因,全球90%的DRAM市場份被三星、海力士和美光三家廠商占據。 現有DRAM的最關鍵技術是電容存儲單元,它不僅帶來了特有的制造挑戰,還被大量專利所保護。
國內廠商想要有所突破,除了加大投入和研發外,一定程度也需要外力支持。近日,半導體嵌入式非易失性存儲器(eNVM)知識產權(IP)產品領先提供商Kilopass 首席執行官Charlie Cheng 現身北京向媒體介紹公司的最新技術。
據了解, Kilopass科技有限公司是嵌入式非易失性存儲器(NVM)知識產權(IP)技術的領導者。其商業模式和在前一段時間軟銀拿數百億美金收購的ARM一樣,都是采用為芯片設計和制造公司提供作為設計單元組件的“知識產權”又稱IP產品。
目前,Kilopass擁有專利的技術暨一次性可編程(OTP)NVM解決方案,擁有可擴展到各種先進CMOS工藝制程的無限容量,它們可被移植到每一家重要的代工廠和整合器件制造商(IDM),且滿足了市場對更高的集成度、更高的密度、更低的成本、低功耗管理、更高的可靠性和更完善的安全性等方面的需求。
當前,Kilopass 的技術已被超過170家企業客戶所采用,至今已累計售出100億塊包含Kilopass技術的芯片,涉及400多種芯片設計,應用范圍涵蓋了工業、汽車、消費電子產品、移動設備、模擬和混合信號以及物聯網(IoT)等。
在此次會議上,Charlie Cheng 宣布推出其革命性的垂直分層晶閘管(Vertical Layered Thyristor, VLT)技術。VLT存儲單元在2015年已通過驗證,目前一款新的完整存儲器測試芯片正處于早期測試階段。
晶閘管是一種結構復雜的電子器件,在電學上等效于一對交叉耦合的雙極型晶體管。由于鎖存的形成,這種結構非常適合存儲器;與當前基于電容的DRAM相比,晶閘管內存不需要刷新。晶閘管于20世紀50年代被發明,之前人們曾屢次嘗試將其應用于SRAM市場,但都未能成功。
Kilopass的VLT通過垂直方式實現晶閘管架構,從而使存儲單元更加緊湊。緊湊的結構加上所需的物理器件,構造出制造工藝簡單的交叉點內存,這將帶來一項與DDR標準兼容,并且比當前頂尖的20納米DRAM制造成本低45%的新技術。
此外,因為VLT不需要復雜且高功耗的刷新周期,基于VLT的DDR4 DRAM將待機功耗降低了10倍,可降低到50fA/bit以下,且仍將性能提高15%。最為關鍵的是,VLT避開了傳統DRAM制造中最大的挑戰,即溝電容的制造,從而規避了相關的專利沖突,這一點具有很重要的戰略意義。
Kilopass首席執行官Charlie Cheng表示,“我們的VLT技術是一項真正具有顛覆性的技術,運用它我們的被授權商能夠迅速高效地為市場提供與JEDEC標準完全兼容的DRAM產品,這些產品在功耗和成本上將具有顯著優勢,同時也免去了現有DRAM制造流程中構建電容的困擾。”
VLT存儲單元的運行和器件測試已于2015年完成,測試結果與器件仿真系統TCAD具有優異的關聯性。一塊完整的內存測試芯片已于5月份成功流片,早期芯片測試正在進行當中。
供貨方面,現在已可以向數量有限的特許受讓人提供VLT DRAM技術,用于20nm到31nm工藝技術節點。Kilopass已使用其突破性的TCAD模擬器,在所有的半導體制造工藝細節上對這兩個節點進行了詳盡的模擬,新一代10nm技術的驗證有望在2017年完成。
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