SM2082K是單通道LED恒流驅動控制芯片，芯片使用本司專利的恒流設定和控制技術，輸出電流由外接Rext電阻設置為5mA~60mA，

且輸出電流不隨芯片OUT端口電壓而變化，較好的恒流性能。系統結構簡單，外圍元件極少，方案成本低。

特點：

本司專利的恒流控制技術

a)OUT端口輸出電流外置可調，范圍5mA~60mA

b)芯片間輸出電流偏差＜4%

輸出AC電壓：120V/220V

支持可控硅調光應用電路

具有過熱保護功能

芯片可與LED共用PCB板

線路簡單、成本低廉

封裝形式：TO-252 SOT89-3

應用：

T5/T8系列LED日光燈管

LED路燈照明應用

LED球泡燈，LED吸頂燈

新年伊始，回顧2016年中國集成電路產業的發展，“投資”無疑是出現頻率最高的熱詞。在“國家集成電路產業投資基金”的助力下，2016年國內投資活動頻頻：長江存儲投資建設12英寸存儲器基地;中芯國際投資近千億元在上海新建12英寸Foundry廠;華力微啟動二期12英寸高工藝等級生產線建設項目……

SEMI估計，全球將于2017年～2020年間投產62座半導體晶圓廠，其中26座設于中國大陸，占全球總數的42%。集成電路行業的發展需要巨額資金的投入，但是投入的資金只有真正轉化成生產力才是硬道理。企業不僅要敢于投資，更要學會投得有價值。這是下一步中國IC業者需要解決的挑戰。

未來數年投入資金超3500億元

集成電路產業正在加速向亞洲特別是中國大陸轉移，這個判斷正在得到越來越多事實的支持。如果說2015年在中國大陸投資建設晶圓廠以外資為多，如英特爾總投資55億美元在大連，升級原有的大連工廠，生產非易失性存儲器;聯電投資13.5億美元在廈門建立月產能6萬片的12英寸晶圓代工廠;力晶投資135.3億元在合肥新區設立月產能4萬片的12英寸晶圓代工廠。那么，2016年在中國大陸的半導體投資，則以中資為主。

2016年3月28日，以武漢新芯為基礎的國家存儲器生產基地項目正式動工，主要面向存儲器芯片的產品設計、技術研發、晶圓生產與測試，將在5年內投資240億美元，預計到2020年將形成月產能30萬片的生產規模，到2030年將形成每月100萬片的產能。2016年7月26日，長江存儲科技有限責任公司宣布成立。公司注冊資本分兩期出資，一期由國家集成電路產業投資基金股份有限公司、湖北國芯產業投資基金合伙企業(有限合伙)和湖北省科技投資集團有限公司共同出資，并在武漢新芯的基礎上建立長江存儲。二期將由紫光集團和國家集成電路產業投資基金股份有限公司共同出資。

同樣是在2016年3月28日，南京市政府與臺積電正式簽署合作協議。臺積電將投資30億美元建設12英寸晶圓廠和IC設計中心，初期月規劃產能2萬片。2016年7月7日項目舉行開工典禮，預計在2018年下半年正式投產16nm制程，將在2019年達到預定產能。

2016年3月29日CMOS傳感器廠德科瑪宣布在江蘇淮安建一座小規模12英寸晶圓廠。一期項目8英寸晶圓廠總投資5億美元，以自主設計的圖像傳感器芯片制造為主。預計項目投產后產能可達4萬片/月。二期項目12英寸晶圓廠總投資20億美元，投產后產能可達2萬片/月。

美國AOS公司將投資7億美元在重慶水土園區建設12英寸功率半導體芯片制造及封測基地，項目于2016年3月30日舉行開工活動。美國AOS半導體股份有限公司于2000年在美國加州成立總部，主營功率型金屬氧化層場效晶體管(Power MOSFET)。

7月16日，福建省晉華存儲器集成電路生產線舉行開工儀式。項目一期投資370億元，計劃建設一座存儲器研發制造企業，重點發展DRAM產品，初期將以利基型DRAM為切入點。

10月份，中芯國際在一個月內連續宣布新廠投資計劃，將在上海開工新建一條12英寸生產線，制程為14納米及以下，月產能7萬片，總投資高達675億元;將天津的8英寸生產線，產能由4.5萬片/月，擴大至15萬片/月，成為全球單體最大的8英寸生產線;在深圳新建一條12英寸生產線，預期目標產能達到每月4萬片。

11月9日，華力微電子二期12英寸高工藝等級生產線項目正式啟動，總投資387億元，規劃月產能4萬片，設計工藝為28、20和14納米。

加總上述的設資計劃，在未來數年間投入集成電路制造領域的資金將超過3500億元。在產能建設上，根據國際半導體設備與材料產業協會(SEMI)發布的報告，目前全球處于規劃或建設階段，預計將于2017年～2020年間投產的半導體晶圓廠約為62座，其中26座設于中國，占全球總數42%。這些建于中國的晶圓廠2017年預計將有6座上線投產，2018年達到高峰，共13座晶圓廠加入營運，其中多數為晶圓代工廠。

先進工藝爭奪是成敗關鍵

分析上述資料可以發現，本輪針對集成電路制造的投資具有以下特點：首先，這一輪投資以12英寸晶圓廠為主。根據市調機構IC Insights最新公布的《2017~2021年全球晶圓產能報告》，2008年前，IC制造以8英寸晶圓為主;2008年以后，12英寸晶圓逐漸取代其成為市場主流。中國大陸的本次產能，不僅僅是在制造生產線的數量上大幅增加，更是以相對高端的工藝技術為主。而根據半導體專家莫大康的介紹：“觀察中國大陸晶圓廠財報可以發現，當前企業的營收主要來自55納米及以上的工藝節點。”可以預見，在本輪投資之后，未來中國大陸廠商將要在先進工藝領域，與國際大廠進行更加激烈的爭奪，能否在更先進的工藝領域(如28納米)站穩腳跟，將有巨大影響。

其次，如果將中國大陸目前現存和在建的全部產能折合為12英寸產能，總量將達到1560千片/月，在建產能接近現有產能的九成，而且主要都是12英寸生產線。如此之多的新增產能，是否能夠得到及時消化將是一個挑戰。

最后，觀察目前現存和在建集成電路產線的分布情況，北京、合肥、淮安、南京、上海、寧波、晉江、廈門、深圳、武漢、重慶、成都等城市都進入了制造領域。其中傳統集成電路制造強市上海相對其他地區仍保持明顯優勢，北京、武漢緊隨其后，但是部分在這一輪快速擴張中新擠入集成電路陣營的城市和地區，產業基礎相對較弱。對此，清華大學微電子所教授魏少軍指出：“12英寸晶圓廠建設，從產能總量上看，還未超出預期，但布局分散，無法呈現規模效應，后續情況堪憂。”

保持投資的持續性更加重要

中國集成電路的發展模式以專業分工為主，在設計、制造(代工)、封測等幾個產業鏈主要環節中，以制造環節對上下游的帶動作用最為明顯。盡管有觀點認為中國應當發展IDM模式，然而以目前中國的現實來看，以制造(代工)環節發展為重點，仍是重要選擇。這也是本輪“國家集成電路產業投資基金”重點投資制造業的主要原因。以高通公司與中芯國際在28納米工藝制程和晶圓制造方面的合作為例，高通是目前全球最大的IC設計企業，與中芯國際合作，快速推進了我國企業在先進制程上的進步。而中芯國際利用制造環節的現行優勢，聯合創新，帶動起全產業鏈的共同推進。此后，中芯國際以4億美元和之前收購星科金朋時的1億美元股權轉為長電科技的股權，成為長電科技最大股東，又是“制造+封裝”一條龍戰略的重要探索。可見投資集成電路制造的重要性與必要性。

然而，大規模海量資金投入集成電路制造，也存在一些挑戰。針對當前集成電路投資熱的形勢，有專家提出了投資持續性的問題。眾所周知，發展集成電路不僅所需資金龐大，而且需要持續不斷的投入。三星從上世紀80年代投入發展存儲器開始，忍受了十幾年的虧損，當前中國集成電路投入巨資，在技術實力不足的情況下不僅面對國際廠商競爭，還將面臨巨額設備拆舊的沉重壓力，在未來較長一段時間內出現虧損將是大概率事件，特別是那些新建企業。避免LED與光伏產業中的“一陣風”熱情，持續投入資金將是今后面臨的主要挑戰。

對此，魏少軍指出：“所有人都知道，半導體是一個具有高技術門檻與資金門檻的產業，沒有足夠的定力是成功不了的。中國發展半導體產業數十年，歷史上曾經幾次發力，拉近與國際先進水平之間的差距，但是很快差距又被拉大。除了有自身基礎薄弱、積累不足的原因之外，戰略上的猶豫也是原因之一，至今這個問題也沒有得到真正解決。所以，保持戰略上的定力，不管外界如何評價，始終堅定信心，攻堅克難，是必不可少的素質。”

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