品牌：INFINEON

參數說明：

FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源極電壓（Vdss） 80V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 11A（Ta），55A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 33μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 25nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1870pF @ 40V
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），66W（Tc）
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值） 12.3 毫歐 @ 33A，10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 PG-TDSON-8
封裝/外殼 8-PowerTDFN

深圳市中意法電子科技有限公司

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