品牌： Infineon Technologies
參數說明：
FET 類型
N 溝道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源極電壓（Vdss）
40V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
42A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 100μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
56nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
3810pF @ 25V
Vgs（最大值）
±16V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
140W（Tc）
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
4.9 毫歐 @ 42A，10V
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
供應商器件封裝
D-Pak
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
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