MRF6V3090NBR1、MRF6V3090NBR1、MRF6V3090NBR5和MRF6V3090NBR5是為廣播和商業航空航天寬帶應用而設計的，頻率從470到1215兆赫。
特征
能夠處理10:1 VSWR，所有相位角，@ 50 Vdc,860兆赫，90瓦的CW輸出功率
具有系列等效大信號阻抗參數的特點
內部輸入與易用性相匹配
最多可達50個VDD操作
集成的ESD保護
優良的熱穩定性
提高C級操作的負向源電壓范圍
通過無鉛認證
制造商:
NXP / Freescale
說明：
射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管 VHV6 860MHz 90W TO 272WB4
產品種類: 射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管
制造商: NXP
RoHS: 詳細信息
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 115 V
技術: Si
增益: 22 dB
輸出功率: 18 W
最大工作溫度: + 150 C
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-270-4 WB
封裝: Reel
商標: NXP / Freescale
配置: Single
工作頻率: 0.47 GHz to 0.86 GHz
系列: MRF6V3090N
類型: RF Power MOSFET
Vgs - 柵極-源極電壓: 10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.4 V
