SN3350是一款降壓型電感電流連續模式驅動芯片，適用于電源電壓高于一顆或一串LED所需電壓的應用場會。芯片的輸入電壓范圍為6V至40V,輸出電流高達750mA,輸出功率高達30W。

SN3350內部集成功率管，采用高位電流檢測，可以通過外部電阻設置平均工作電流。

輸出電流還可以通過在ADJ引腳加控制信號來設置。ADJ引腳可以接受的控制信號有直流電壓或者PWM信號，這將提供直流或是連續脈沖形式的輸出電流。當ADJ引腳電壓低于0.2V時芯片將關段，并進入低功耗模式。芯片的封裝形式為SOT23-5.SOT89-5.SOP-8和DFN-5。SOT23-5封裝應用于350mA輸出電流，SOT89-5，SOP-8和DFN-5封裝應用于750mA輸出電流。

特點：

1.極少的外圍器件

2.芯片內部集成40V功率管

3.工作電壓范圍：6V到40V

4.輸出電流高達750mA（SOT89-5，SOP-8和DFN-5封裝）

5.高效率（高達95%）

6.1200:1調光比

7.5%的輸出電流精確度

8.兩種方式（直流/PWM）實現芯片開關和調光功能

9.高達1MHz的開關頻率

10.固有LED開路保護功能

11.過熱保護

12.針對不同輸出電流封裝模式

應用：

1.LED射燈

2.汽車照明

3.工業照明

4.白光LED照明

5.背光源

全球最大半導體設備廠應用材料宣布,利用鈷金屬全面取代銅當作導線材料,以協助客戶全面推進至7奈米以下制程,并延續摩爾定律,目前將主要應用在邏輯芯片當中,也可望協助客戶在3D NAND架構中維持效能及良率。

由于智能手機及平板計算機需求廣大,顯示行動時代不斷需要更高規格配備,新應用也不斷發展,以高效能芯片如何突破現有速度、功耗更低及儲存空間更多為例,勢必就得不斷延續摩爾定律,從現有的10奈米制程節點向前演進至個位數奈米制程。

不過,10奈米以下制程技術含量高,且若用現有材料導電速度將會不如以往效率。 因此,應用材料昨(17)日宣布,將以鈷金屬在個位數奈米制程節點全面取代現有的銅金屬當作導線材料,導電效率有顯著提升。

應用材料半導體設備事業群金屬沉積產品部資深經理陸勤表示,將現有的芯片為縮到7奈米及以下制程是目前在半導體歷史中最困難的技術挑戰,產業界技術藍圖的精進有賴組件設計、制程技術及新材料的創新,因此應材耗時3年時間,研發出以鈷取代傳統銅的需要,以確保組件效能更高、良率更佳,維持客戶競爭力與推進技術藍圖的主要驅動力。

陸勤指出,以鈷金屬全面取代銅當作導線材料,將可能在7奈米制程進行學習階段,在5奈米制程客戶端有望全面導入。 在機臺部分可望持續沿用當前的Endura平臺,進行技術及零件升級即可采用鈷當作導線材料。

陸勤表示,Endura能在關鍵的阻障層及重晶層進行沉積,使制程先進的導線成為可能,當業界到達10奈米以下,島縣內非常的薄的薄膜就需要在控制良好的環境中,有夠精準材料工程及接口,這套系統能支持最多8個制程反應室,方便半導體廠能將各個制程技術同時整合在同一平臺上。

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