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MP2307DN-LF-Z DC-DC電源管理芯片

發布時間:2017/5/24 10:53:00 訪問次數:558

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微電子裝備總體研究室主任胡松表示,設備采用的新型納米對準技術,成功將原光刻設備的對準精度由亞微米量級提升至納米量級,是實現功能化器件加工的關鍵。其應用突破了現有納米尺度結構加工的瓶頸問題,為高精度納米器件的加工提供了技術保障。設備可廣泛應用于微納流控芯片加工、微納光學元件、微納光柵、MEMS器件等微納結構器件的制備。

華中科技大學國家光電實驗室的甘棕松教授在國外攻讀博士學位期間,采用類似方法在光刻制造技術上取得進展,成功突破光學衍射極限,首次在世界范圍內實現了創記錄的單線9納米線寬,雙線間距低至約50納米的超分辨光刻。未來將這一技術工程化應用到光刻機上,能夠突破光學衍射極限對投射電路尺寸的限制從而實現超分辨光刻,有望使國產集成電路光刻機擺脫一味采用更短波長光源的技術路線。

據悉中國研發的光刻機試驗產品已經接近光刻機業界龍頭老大荷蘭ASML,EUV光刻機量產型號已經做到14nm水平,現在Intel、三星的14nm光刻機都是買自ASML。中國準14nm光刻機雖然沒有定型生產,但試驗設備的研制成功也是一個巨大進步,只要集中攻關也許很快我們也能研發出類似精度的光刻機。

操作系統和芯片是軍備創新升級的靈魂,發動機則是各種軍備的動力之源。中國發動機的整體性突破對于中國軍備升級當然意義非凡

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