BGA715N7采用英飛凌經濟高效的SiGe:C技術，噪聲系數低至0.6dB，比最接近的SiGe競爭性產品還要低0.2dB。該器件的耗電僅為3mA，比其他器件低約20%，大 大延長了電池的使用時間。BGA715N7支持較大范圍的供電電壓（1.5V-3.6V）和數控電壓（1.0V-3.6V），與當前市場上所銷售的各種GPS芯片組兼容，可實現節能型低壓產品設計。BGA715N7的增益為20dB，具備高線性（電壓為2.8V時，輸入壓縮點為-12dBm）。內部集成的智能偏置電路可以在溫度和輸入電壓出現變動的情況下保持器件操作的穩定性。它具備1kV HBM的片上ESD防護，簡化了系統的ESD防護，并在組裝過程中為器件提供了強大的ESD防護功能。BGA715N7僅需三個外部無源元件，因此可以支持空間節約的緊湊型設計。

供貨、封裝與定價
BGA715N7目前已開始供應樣品，并計劃于2008年9月開始批量生產。英飛凌還提供評估套件，以支持客戶設計。若訂購量達到1萬件，起價為0.5美元。B GA715L7采用微型TSLP7-1無鉛封裝，尺寸僅為2.0 mm x 1.3 mm x 0.4 mm，實現了與現在廣泛應用的前一代產品BGA615L7的管腳兼容

德國Neubiberg和日本東京訊——英飛凌科技股份公司（FSE/NYSE:IFX）今天在日本無線通訊展Expo Comm Wireless Japan上宣布，該 公司的廣博產品組合又添新成員：針對GPS應用并具有最佳噪聲系數的高靈敏度低噪放大器BGA715L7。這款新產品滿足了手機對高靈敏度和無線信號抗擾性的設計要求。它的功耗僅為5.94mW，并 能在1.8V的電壓下進行操作，大大延長了電池的使用時間。而GPS功能將有望成為下一代手機的標配功能。市場調查機構IMS Re-search的分析報告顯示，手 機GPS市場在2011年之前的年均復合增長率為33.7%。這意味著2011年所生產手機總量的三分之一都將具有GPS功能