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HJ2-L-DC110V

發布時間:2017/6/23 21:01:00 訪問次數:318 發布企業:瀚佳科技(深圳)有限公司

產品種類: 通用繼電器
制造商: Panasonic
RoHS: 符合RoHS詳細信息
線圈電壓: 100 VDC to 110 VDC
觸點形式: DPDT (2 Form C)
觸點端接: Quick Connect Terminal
安裝風格: Socket
線圈端接: Quick Connect Terminal
線圈類型: Non-Latching
觸點材料: Silver (Ag)
封裝: Bulk
商標: Panasonic Industrial Devices
功耗: 1.1 W
工廠包裝數量: 20

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即便是成績最好的申威1610的理論雙精浮點峰值也只有200G,而Intel

第一代至強PHI的理論雙精浮點峰值高達1T,是申威1610的5倍。正是

因此,天河2號只能無奈的選擇Intel至強PHI作為其加速器。

光陰似箭,時過境遷,經過數年的臥薪嘗膽,國內IC設計單位的實力與

日俱增,不僅能拿出至強PHI計算卡的替代產品,而且在性能上絲毫不

落下風。國防科大自主研發的矩陣2000理論雙精浮點峰值達2.4T,功

耗為200W,理論雙精浮點峰值達到第二代至強PHI的80%,性能功耗

比略優于第二代至強PHI。

如果說矩陣2000是GSDSP,而非眾核加速器,在性能上也稍遜第二代

至強PHI一籌,那么上海高性能集成電路設計中心設計的國產眾核芯片

是對美國禁售至強PHI計算卡最有力的回擊,特別是在設計理念上,國

產眾核加速器非常先進。

因采用異構計算可以獲得更好的性能功耗比和峰值性能,目前中美正在

建設的100P超算基本采用異構計算,也就是一個計算節點由CPU+加速

器組成,比如天河2A號一個計算節點由2個E5(將來可能會替換成國防科

大自主研發的64核服務器芯片“火星”)和三個矩陣2000組成。加速器

可以是K80這樣的GPGPU,也可以是矩陣2000這樣的GPDSP,還可以

是Intel至強PHI、國產眾核芯片這樣的眾核加速器。

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雖然異構計算雖然有很多優點,但也會帶來很多缺點,比如通用性不夠

好,效率不夠高,編程比較麻煩,另外,天河2號和美國超算Stampede

中的Intel至強PHI計算卡和E5是不共享內存的,因而需要程序員顯式拷

貝,進而造成性能損失。而國產眾核芯片通過設計理念的革新,很大程

度減輕了上述方面的負面影響,在某些方面甚至徹底避免了性能損失。

因此,筆者認為,國產眾核芯雖然因采用28nm制程,使其在制程上遜

色于第二代至強PHI的14nm。但憑借設計理念的先進性,相對于Intel

第二代至強PHI會有一定優勢。而雙精浮點運算峰值高達3T的性能指標,

使其成為完全不遜色于Intel第二代至強PHI的存在。

在中國芯片制造水平不斷提升,并有望不斷縮短和美國芯片制造水平的

情況下,如果Intel不能在超算芯片的設計理念上有革命性的改進,那么

被國產眾核芯片的下一代產品超越只是時間問題。 中國光刻機突破世界

上能制造光刻機的國家屈指可數

(美國的高端光刻機在哪呢?!所以,本質上,美國的芯片制造業核心裝備

是買來的。說白了,所謂的INTEL,用的核心設備是國外的,其無非就

是一個搞組裝的加工作坊而已)

光刻機所涉及的產業鏈非常長、非常高端。目前世界上最大的光刻機生

產商ASML是荷蘭公司,光刻機中的光學鏡組來自德國、干涉測量系統

來自美國,其產品可以說是整個西方世界科技成果的總和。在這方面,

中國要想取得獨立自主的發展,實際上是在以一己之力追趕所有發達國

家數百年的積累,每一個單項的突破都意味著中國又追上了一步,這個

過程將會是漫長而艱辛的。不過依托完整的產業鏈、龐大的工業產能和

雄厚的人才基礎,中國的IC產業最終實現全面超越是完全可以期待的。

2014年7月中芯國際與高通公司達成了28納米芯片代工協議,為中芯進

入主流市場工藝技術打下了堅實基礎。2014年12月18日,中芯國際宣

布成功制造28nm Qualcomm驍龍410處理器,藉此成為中國內地第一

家在最先進工藝節點上生產高性能、低功耗手機處理器的晶圓代工廠。

(對高通而言,與中芯合作除了可確保未來產能外,還可以改善與中國的

政商關系,畢竟高通因壟斷被中國政府罰款60億元。隨著中國科技的進

步,中國政府已經將芯片產業列入國家重點支持的戰略產業,好戲還在后頭)

上海2014年11月28日電 - 中微半導體設備有限公司(簡稱“中微”)宣布

在本月初舉辦的第十六屆中國國際工業博覽會上榮獲金獎。這一獎項彰

顯了中微十年來在先進技術自主創新方面取得的可喜成績。中微此次獲

獎產品是其處于行業領先地位的去耦合等離子體介質刻蝕機Primo AD-RIE®,

該設備能夠滿足28到15納米及更先進工藝芯片制造的嚴苛要求。

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